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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社
摘要:本发明提供一种蚀刻方法和基板处理装置。蚀刻方法包括:工序a,将形成有具有第一钛膜和铝膜的层叠膜的基板配置在处理室内;工序b,一边追随处理室内或排气管内的压力的变化地对压力控制阀的开度进行自动控制,一边借助掩模来蚀刻第一钛膜;工序c,根据在工序b中采样得到的压力控制阀的开度的值来计算第一开度值;工序d,在开始蚀刻铝膜时将压力控制阀的开度设定为第一开度值,来蚀刻铝膜;工序e,在工序d中监视压力,在压力超过了阈值的情况下,利用变化量将第一开度值变更为第二开度值,蚀刻方法包括工序f,在该工序f中,在到铝膜的蚀刻结束为止的期间进行一次以上工序e。
主权项:1.一种蚀刻方法,其特征在于,包括以下工序:工序a,将形成有层叠膜的基板配置在处理室内,该层叠膜具有第一钛膜和位于所述第一钛膜的下层的铝膜;工序b,一边追随经由压力控制阀并通过排气管来与排气装置连接的所述处理室内的压力的变化或追随所述排气管内的压力的变化地对所述压力控制阀的开度进行自动控制,一边借助由有机材料构成的掩模来蚀刻所述第一钛膜;工序c,根据在所述工序b中采样得到的所述压力控制阀的开度的值来计算第一开度值;工序d,在开始蚀刻所述铝膜时将所述压力控制阀的开度设定为所述第一开度值,来蚀刻所述铝膜;以及工序e,在所述工序d中监视所述压力,在所述压力超过了预先决定的阈值的情况下,利用预先决定的变化量来将所述第一开度值变更为第二开度值,其中,所述蚀刻方法包括工序f,在所述工序f中,在到所述铝膜的蚀刻结束为止的期间进行一次以上所述工序e。
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