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申请/专利权人：胜高股份有限公司
申请日：2019-09-11
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113508452B
主分类号：H01L21/205
分类号：H01L21/205;C23C16/24;C23C16/458
优先权：["20181225 JP 2018-241366"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.11.02#实质审查的生效;2021.10.15#公开
摘要：本发明提供一种气相沉积装置，该气相沉积装置包括圆板状的基座（3）及支承基座（3）并使其旋转的基座支承部件，在基座（3）上设置有多个嵌合沟（32），在基座支承部件上设置有分别嵌入于多个嵌合沟（32）的多个支承销（53），在嵌合沟（32）中设置：倾斜部（321B），以基座（3）的自身重量来维持支承销（53）与倾斜部（321B）接触的状态，并使该支承销（53）相对于该嵌合沟（32）沿基座（3）的圆周方向相对移动；及定位部（321A），将由倾斜部（321B）相对移动的支承销（53）定位于圆周方向的特定位置上，倾斜部（321B）及定位部（321A）向基座（3）的径向连续形成。
主权项：1.一种气相沉积装置，在硅晶片上形成外延膜，其特征在于包括：圆板状的基座，载置所述硅晶片；及基座支承部件，支承所述基座并使其旋转，在所述基座及所述基座支承部件中的一个上设置有多个嵌合沟，在另一个上设置有分别嵌入于所述多个嵌合沟的多个嵌合凸部，在所述嵌合沟中设置：倾斜部，形成为相对于所述基座中的所述硅晶片的载置面倾斜，以所述基座的自身重量来维持所述嵌合凸部与所述倾斜部接触的状态，并使该嵌合凸部相对于该嵌合沟沿所述基座的圆周方向相对移动；及定位部，将由所述倾斜部相对移动的所述嵌合凸部定位于所述圆周方向的特定位置上，所述倾斜部及所述定位部向所述基座的径向连续形成，使得随着所述基座以及所述基座支承部件的膨胀或者收缩，各所述嵌合沟内的各所述嵌合凸部相对于各所述嵌合沟向所述基座的径向相对移动。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 胜高股份有限公司 气相沉积装置及外延硅晶片的制造方法
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