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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
摘要：本公开实施例公开了硅晶圆及其检测方法，涉及半导体制造技术领域，所述检测方法包括：通过沉积工序在待测硅晶圆的表面沉积形成薄膜层；基于执行所述沉积工序之前的所述待测硅晶圆的厚度与第一曲率半径，执行所述沉积工序之后的所述待测硅晶圆的第二曲率半径以及所述沉积工序对应的应力系数，获得所述待测硅晶圆的力学参量；基于所述待测硅晶圆的力学参量，对所述待测硅晶圆进行级别判定。
主权项：1.一种硅晶圆，其特征在于，所述硅晶圆的力学参量大于180GPa；其中，所述力学参量根据执行沉积工序之前的所述硅晶圆的厚度与第一曲率半径，执行所述沉积工序之后的所述硅晶圆的第二曲率半径以及所述沉积工序对应的应力系数获得；所述力学参量用于表征所述硅晶圆的机械强度。
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