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申请/专利权人：暨南大学
摘要：本发明公开了一种蓝光带通硅基探测芯片，该器件包括基底、铝金属层、硅层、二氧化硅圆柱阵列和金微纳结构阵列，所述基底上表面覆盖铝金属层，所述铝金属层的上表面设有硅层，所述硅层内设置二氧化硅圆柱阵列，所述硅层上表面设置金微纳结构阵列。本发明通过在硅层的外延层内部制备二氧化硅圆柱阵列，改变探测芯片对入射可见光的反射效率，进一步通过在硅层的外延层上表面制备金微纳结构阵列，提高器件的性能同时使芯片具有蓝光带通的效果。本发明作为一种蓝光带通硅基探测芯片，可广泛应用于光电技术领域。
主权项：1.一种蓝光带通硅基探测芯片，其特征在于，包括基底、铝金属层、硅层、二氧化硅圆柱阵列和金微纳结构阵列，所述基底上表面覆盖铝金属层，所述铝金属层的上表面设有硅层，所述硅层由型硅外延层、型硅外延层、型本征硅外延层、型硅外延层和型硅外延层中的两种以上组成，组合方向包括垂直方向和水平方向，所述硅层的组合方向为水平方向时，所述硅层与铝金属层之间增加一层绝缘二氧化硅层，其中硅层下表面为绝缘二氧化硅层，绝缘二氧化硅层下表面为铝金属层，铝金属层下表面为基底，绝缘二氧化硅层厚度为2nm~2m，所述硅层内设置二氧化硅圆柱阵列，所述硅层上表面设置金微纳结构阵列，其中：所述基底用于支撑探测芯片结构；所述铝金属层为芯片的下电极；所述硅层用于吸收光子转换成光生载流子；所述二氧化硅圆柱阵列用于改变对可见光的反射率和透射率；所述金微纳结构阵列用于提高对蓝光的吸收率和波长选择性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 暨南大学 一种蓝光带通硅基探测芯片
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