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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118294774A
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26;G01B7/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本公开涉及一种半导体测试结构及半导体测试方法，涉及半导体技术领域。所述半导体测试结构包括衬底和多个测试栅极。衬底具有有源区。多个测试栅极沿第一方向间隔排布，且沿第二方向延伸，并沿第二方向横跨有源区。各测试栅极沿第一方向的尺寸互不相同，且均小于有源区沿第一方向的尺寸。第一方向与第二方向正交。上述半导体测试结构可以精准检测交叠区域的尺寸，从而简单便携地检测半导体器件的稳定性。
主权项：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：衬底，具有有源区；多个测试栅极，沿第一方向间隔排布，且沿第二方向延伸，并沿所述第二方向横跨所述有源区；各所述测试栅极沿所述第一方向的尺寸互不相同，且均小于所述有源区沿所述第一方向的尺寸；所述第一方向与所述第二方向正交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体测试结构及半导体测试方法
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