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申请/专利权人：深圳镓楠半导体科技有限公司
摘要：本申请提供了一种HEMT器件以及制造方法，HEMT器件包括：用于形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的沟道层；形成在沟道层上的势垒层；形成在势垒层上的漏电极、源电极、栅电极；HEMT器件还包括沿水平方向位于漏电极和栅电极之间的第一填充部和第二填充部，第一填充部和第二填充部均自上而下延伸，第一填充部具有第一下表面，第二填充部具有第二下表面，第一下表面沿水平方向位于第二下表面和栅电极之间；第一填充部的下表面低于第二填充部的下表面，从而使第一填充部的下表面和第二填充部的下表面分别形成第一场板和第二场板。本申请实施例中的HEMT器件的工艺流程简单，无需多次介质淀积和场板金属淀积和刻蚀。
主权项：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：用于形成在衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的沟道层；形成在所述沟道层上的势垒层；漏电极、源电极、以及位于所述漏电极和所述源电极之间的栅电极；所述漏电极、所述源电极、所述栅电极形成在所述势垒层上；所述HEMT器件还包括沿水平方向位于所述漏电极和栅电极之间的第一填充部和第二填充部，所述第一填充部和所述第二填充部均自上而下延伸，所述第一填充部具有第一下表面，所述第二填充部具有第二下表面，其中，所述第一下表面沿水平方向位于所述第二下表面和所述栅电极之间；所述第一填充部的下表面低于所述第二填充部的下表面，从而使所述第一填充部的下表面和所述第二填充部的下表面分别形成第一场板和第二场板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳镓楠半导体科技有限公司 HEMT器件的制造方法极其制造方法
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