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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2021-04-28
公开（公告）日：2021-08-06
公开（公告）号：CN113223996A
主分类号：H01L21/762(20060101)
分类号：H01L21/762(20060101);H01L21/28(20060101);H01L27/11521(20170101)
优先权：
专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态：2023.12.01#发明专利申请公布后的驳回;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开
摘要：本发明公开了一种ETOX结构闪存浮栅填充的方法，包括：步骤S1，在半导体衬底上沉积硬掩膜层，提供所述半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积形成有图案化的所述硬掩膜层；步骤S2，刻蚀形成浅沟槽，以图案化的所述硬掩膜层为掩膜蚀刻部分所述半导体衬底，以形成若干所述浅沟槽，所述浅沟槽的底部位于所述半导体衬底中；步骤S3，填充形成隔离材料层，在所述浅沟槽中填充隔离材料以形成所述隔离材料层，所述隔离材料为二氧化硅；步骤S4，平坦化所述隔离材料层，形成浅沟槽隔离结构，所述平坦化的方法为化学机械研磨法；步骤S5，回刻所述硬掩膜层，所述回刻包括三次回刻工艺；步骤S6，填充浮栅。
主权项：1.一种ETOX结构闪存浮栅填充的方法，其特征在于，包括：步骤S1，在半导体衬底上沉积硬掩膜层，提供所述半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积形成有图案化的所述硬掩膜层；步骤S2，刻蚀形成浅沟槽，以图案化的所述硬掩膜层为掩膜蚀刻部分所述半导体衬底，以形成若干所述浅沟槽，所述浅沟槽的底部位于所述半导体衬底中；步骤S3，填充形成隔离材料层，在所述浅沟槽中填充隔离材料以形成所述隔离材料层，所述隔离材料为二氧化硅；步骤S4，平坦化所述隔离材料层，形成浅沟槽隔离结构，所述平坦化的方法为化学机械研磨法；步骤S5，回刻所述硬掩膜层，所述回刻包括三次回刻工艺，第一次回刻、第二次回刻和第三次回刻，所述第一次回刻、所述第二次回刻和所述第三次回刻的刻蚀溶液包含氢氟酸溶液和磷酸溶液；步骤S6，填充浮栅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 ETOX结构闪存浮栅填充的方法及其闪存
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