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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种平面栅β型氧化镓VDMOS器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型SiC衬底，所述n型SiC衬底的上方设置有n型β型氧化镓，所述n型β型氧化镓的上方设置有纯净β氧化镓；所述纯净β氧化镓的上方设置有n+β氧化镓以及p型NiOx，所述n+β氧化镓和p型NiOx的上方设置有源极金属，所述纯净β氧化镓的上方还设置有栅极介质，所述栅极介质的上方设置有栅极金属。通过采用纯净β氧化镓作为关断阻断电流区域，规避了p型掺杂难以实现的问题，不会由于异质结影响器件的导通特性；通过异质结构建寄生体二极管，帮助器件在未导通时续流。
主权项：1.一种平面栅β型氧化镓VDMOS器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型SiC衬底，所述n型SiC衬底的上方设置有n型β型氧化镓，所述n型β型氧化镓的上方设置有纯净β氧化镓；所述纯净β氧化镓的上方设置有n+β氧化镓以及p型NiOx，所述n+β氧化镓和p型NiOx的上方设置有源极金属，所述纯净β氧化镓的上方还设置有栅极介质，所述栅极介质的上方设置有栅极金属，所述栅极金属位于该器件的最顶端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种平面栅β型氧化镓VDMOS器件及其制备方法
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