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申请/专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
摘要：本申请公开了一种分离栅MOSFET及其制造方法。该制造方法包括：形成从第一掺杂类型的半导体层的上表面延伸至其内部的第一槽；利用第一槽形成与第一槽连通的第二槽，第一槽和第二槽的延伸方向一致；形成覆盖第二槽内表面的第一介质层，覆盖第一槽内表面第二介质层；形成位于第二槽的第一导体，第一介质层将第一导体与半导体层隔离；形成覆盖在第一导体表面的第三介质层；形成位于第一槽的第二导体，第二介质层将第二导体与半导体层隔离，第三介质层将第一导体与第二导体隔离；形成位于半导体层邻近第一槽，并与第一槽相邻的第二掺杂类型的体区，其中，第一槽的内径大于第二槽的内径。该制造方法扩展了工艺窗口，有利于形成第三介质层。
主权项：1.一种分离栅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：形成从第一掺杂类型的半导体层的上表面延伸至其内部的腔体；形成覆盖在所述腔体侧壁的塑形层，所述腔体位于所述塑形层内的部分形成第一槽；利用所述第一槽形成与所述第一槽连通的第二槽，所述第一槽和所述第二槽的延伸方向一致；形成覆盖所述第二槽内表面的第一介质层，覆盖所述第一槽内表面第二介质层；形成位于所述第二槽的第一导体，所述第一介质层将所述第一导体与所述半导体层隔离；形成覆盖在所述第一导体表面的第三介质层；形成位于所述第一槽的第二导体，所述第二介质层将所述第二导体与所述半导体层隔离，所述第三介质层将所述第一导体与所述第二导体隔离；以及形成位于所述半导体层邻近所述第一槽，并与所述第一槽相邻的第二掺杂类型的体区，其中，所述第一槽的内径大于所述第二槽的内径，所述塑形层靠近所述腔体底部的内径小于靠近所述腔体顶部的内径，从而所述第一槽底部的内径小于所述第一槽顶部的内径。
全文数据：
权利要求：
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