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申请/专利权人：桂林电子科技大学
摘要：本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，在传统AlGaNGaNHEMT器件中引入底部栅极，通过背栅与顶栅控制沟道，实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面，通过顶部栅极偏置电压，使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压，削弱顶部栅所产生的电场，使得沟道二维电子气重新产生，实现P型沟道器件特性。另一方面，在开态下，进一步减小底部栅极偏置电压，异质结界面三角形势阱的深度增加，从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气，P型沟道的HEMT器件难以制造的难题，为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。
主权项：1.基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，该新型半导体器件包括衬底层（1）、缓冲层（2）、沟道层（5）、势垒层（6）、钝化层（7）、源极（8）、漏极（9）和顶部栅极（10）；衬底层（1）、缓冲层（2）、沟道层（5）、势垒层（6）和钝化层（7）自下而上依次叠置；源极（8）和漏极（9）位于缓冲层（2）或沟道层（5）上方的两端，且源极（8）和漏极（9）为欧姆接触；顶部栅极（10）位于钝化层（7），并处于源极（8）和漏极（9）之间；其特征是，该新型半导体器件还包括底部栅极（3）和P型掺杂区（4）；底部栅极（3）从衬底层（1）的底部一直延伸至缓冲层（2）的中下部；P型掺杂区（4）位于缓冲层（2），并包覆在底部栅极（3）的外侧；底部栅极（3）和P型掺杂区（4）同时位于顶部栅极（10）的正下方，底部栅极（3）和P型掺杂区（4）为肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桂林电子科技大学 基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件
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