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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请提供一种闪存器件的制备方法，包括：提供一衬底，衬底包含存储区和外围逻辑区；在存储区和外围逻辑区上形成浮栅材料层；研磨去除第一厚度的浮栅材料层并停止在外围逻辑区的硬掩膜层表面；采用湿法刻蚀工艺刻蚀存储区的第二厚度的浮栅材料层以得到存储区的浮栅。本申请通过将浮栅材料层研磨至硬掩膜层表面，以硬掩膜层作为研磨工艺的厚度参照，使得剩余厚度的浮栅材料层的表面与硬掩膜层表面齐平，改善了存储区最终的浮栅的厚度均匀性，提高了器件的良率；进一步的，使用湿法刻蚀工艺继续回刻一定厚度的浮栅材料层，避免了干法刻蚀工艺给浮栅引入等离子体杂质的情况，避免了对器件的电性造成负面影响。
主权项：1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包含存储区和外围逻辑区，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包括：位于衬底中的隔离材料层和高出所述衬底的隔离凸起部；所述存储区的衬底上形成有栅氧化层，所述外围逻辑区的衬底上形成有衬垫氧化层和硬掩膜层；形成浮栅材料层，所述浮栅材料层覆盖所述存储区的所述栅氧化层和所述隔离凸起部以及所述外围逻辑区的所述硬掩膜层；研磨去除第一厚度的所述浮栅材料层并停止在所述硬掩膜层表面，此时，剩余厚度的所述浮栅材料层的表面与所述硬掩膜层表面齐平；以及采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述存储区的第二厚度的所述浮栅材料层，以得到所述存储区的浮栅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存器件的制备方法
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