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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一闪存结构，闪存结构分为存储单元区域、载带结构和外围逻辑区域，半导体器件包括衬底，位于存储单元区域和载带结构中的衬底上形成有叠层，叠层由下至上包括隧穿氧化层、浮栅层、极间介质层、控制栅层和硬掩膜层，位于载带结构中的衬底中形成有浅沟槽隔离，位于载带结构中的叠层中形成有贯通至浅沟槽隔离的凹槽，位于外围逻辑区域的衬底上形成有栅多晶硅；在闪存结构表面沉积保护氧化层；采用光刻和刻蚀工艺，去除外围逻辑区域中的保护氧化层；采用栅极间隔光刻工艺，去除载带结构中的硬掩膜层；形成侧墙结构。本申请通过上述方案，能够提高闪存器件的可靠性。
主权项：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一闪存结构，所述闪存结构分为存储单元区域、载带结构和外围逻辑区域，所述半导体器件包括衬底，位于所述存储单元区域和载带结构中的衬底上形成有叠层，所述叠层由下至上包括隧穿氧化层、浮栅层、极间介质层、控制栅层和硬掩膜层，位于所述载带结构中的所述衬底中形成有浅沟槽隔离，位于所述载带结构中的所述叠层中形成有贯通至所述浅沟槽隔离的凹槽，位于所述外围逻辑区域的所述衬底上形成有栅多晶硅；在所述闪存结构表面沉积保护氧化层；采用光刻和刻蚀工艺，去除所述外围逻辑区域中的所述保护氧化层；采用栅极间隔光刻工艺，去除所述载带结构中的硬掩膜层；形成侧墙结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种闪存器件的制作方法
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