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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

摘要：本发明提供一种NOR型快闪存储器装置以及NOR型快闪存储器装置的恢复和读取方法。所述恢复和读取方法包括：在充电时间区间对NOR型快闪存储器装置进行充电处理；在充电时间区间之后的读取时间区间，进行充电读取操作并读取快闪存储器装置的存储器区块的标记比特；并且对多个未被选择的字线施加负电压以进行所述充电读取操作，以在不引起存储器区块的位线泄漏电流的情况下正常操作而不会造成错误。

主权项：1.一种恢复及读取方法，适用于一种NOR型快闪存储器装置，包括：在充电时间区间对所述NOR型快闪存储器装置执行充电操作，其中所述充电时间区间为将操作电源电压的电压电位从0V提升到阈值电压的时间区间；在所述充电时间区间之后的读取时间区间执行充电读取操作，所述充电读取操作在所述读取时间区间读取储存于所述快闪存储器装置的存储器阵列的存储器区块中的标记比特；以及若所述标记比特指示所述存储器区块未执行后编程操作，在所述充电读取操作对多个未被选择的字线施加负电压以正常的执行所述充电读取操作。

全文数据：NOR型快闪存储器装置及其恢复和读取方法技术领域本发明涉及一种NOR型快闪存储器装置的恢复和读取方法，尤其涉及一种用于防止NOR快闪存储器装置的位线泄漏电流的NOR型快闪存储器装置的恢复和读取方法。背景技术以下参考图1，是传统的NOR型快闪存储器装置的示意图。在传统技术中，NOR型快闪存储器装置的一个实体阵列100包括多个存储器区块Block-Block。存储器区块Block-Block共享相同的位线BL-BL、源极线以及P型阱，且存储器区块Block-Block接收字线WL-WL。如果在抹除操作中，未对存储器区块施加后编程操作，来自于位线BL-BL的漏电流会被产生。由于产生自位线BL-BL上的漏电流，在对另一存储器区块执行读“0”操作时可能会产生错误。详细地说，在NOR型快闪存储器上的抹除操作，为依序进行为预编程、抹除和后编程操作。如果存储器区块的操作电源电压在后编程操作完成之前下降，则可能产生来自位线BL-BL的电流，并且可能发生在另一存储器区块上的读取动作的错误。在现有技术中，在NOR型快闪存储器充电后，使用者需要等待NOR型快闪存储器完成后编程操作。等待时间是显著的。发明内容本发明提供一种NOR型快闪存储器装置的恢复和读取方法，其能够防止由于后编程操作未被完全执行而从位线泄漏电流。本发明提供的恢复和读取方法包括：在充电时间区间对所述NOR型快闪存储器装置执行充电操作；在所述充电时间区间之后的读取时间区间执行充电读取操作，在所述读取时间区间从所述快闪存储器装置的存储器阵列的存储器区块中读取标记比特；以及对多个未被选择的字线施加负电压以正常的执行所述充电读取操作。本发明还提供的NOR型快闪存储器装置，包括存储器区块和存储器控制器。所述存储器区块电性连接至存储器控制器。所述存储器控制器被配置成：在充电时间区间对所述NOR型快闪存储器装置执行充电操作；在所述充电时间区间之后的读取时间区间执行充电读取操作，在所述读取时间区间从所述快闪存储器装置的所述存储器区块中读取标记比特；以及对多个未被选择的字线施加负电压以正常的执行所述充电读取操作。根据上面的描述，为了充电读取操作正常地操作，对多个未选择字线施加负电压。也就是说，由于负偏压字线，可以防止存储器区块的位线泄漏电流以及相应地防止读取错误。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明附图作为说明书的一部分被结合在说明书中以提供对本发明的进一步理解。附图结合本发明的实施例的描述一起用于解释本发明的原理。图1是传统的NOR型快闪存储器的示意图；图2是根据本发明一实施例的恢复和读取方法的流程图；图3是根据本发明一实施例的恢复和读取方法的波形图；图4是根据本发明一实施例所述利用预编程、抹除和后编程操作NOR型快闪存储器的示意图；图5是根据本发明一实施例所述充电读取操作正常运行的示意图；图6是根据本发明一实施例所述后编程操作的流程图；图7是根据本发明一实施例所述另一后编程操作的流程图；图8是根据本发明一实施例所述NOR型快闪存储器的方框示意图。附图标号说明：100：实体阵列Block-Block：存储器区块BL-BL-WL：字线VTH：阈值电压VCC：操作电源电压POR：充电检测信号PREAD：充电读取信号TA：充电时间区间t1：时间点UWL、UWLx：未被选择的字线410：存储器区块420：感测和漏极驱动器430：选择器SEL：选择信号A-A、MB：字线信号VPPD：第一电压VPPI：第二电压500：存储器阵列510：已被抹除的存储器区块520：存储器区块800：NOR型快闪存储器装置810：存储器控制器820：存储器阵列821：存储器区块S210-S230：恢复及读取方法的步骤S610-S630、S710-S740：后编程操作的步骤具体实施方式以下参考图2，图2是根据本发明一实施例的恢复和读取方法的流程图。所述恢复和读取方法适用于NOR型快闪存储器。在步骤S210中，在充电时间区间对NOR型快闪存储器执行充电操作。然后，在步骤S220中，在充电时间区间之后的读取时间区间执行充电读取操作，在读取时间区间读取快闪存储器的存储器阵列中的存储器区块的标记比特。在步骤S230中对多个未被选择的字线施加负电压，以令充电读取操作正常执行。以下对图2的步骤S210至S230进行详细说明。并且参考图3，图3是根据本发明一实施例的恢复和读取方法的波形图。在充电过程中，操作电源电压VCC从低电压电位即0V逐渐增加至预设电压电位。同时，感测操作电源电压VCC的电压电位并据此产生充电检测信号POR。在此，如果操作电源电压VCC的电压电位低于阈值电压VTH，则充电检测信号POR的电压电位逐渐升高。相反地，如果操作电源电压VCC的电压电位高于阈值电压VTH，则充电检测信号POR的电压电位被拉至低电压电位例如0V。其中，充电时间区间可以由充电检测信号POR的电压电位来确定。当充电检测信号POR的电压电位开始上升时，充电时间区间周期被启动，以及，当充电检测信号POR的电压电位下降至低电压电位时充电时间区间周期被结束。当操作电源电压VCC的电压电位高于阈值电压VTH时，读取时间区间TA被启动。在读取时间区间TA中，根据充电读取信号PREAD执行充电读取操作，以及读取存储器阵列的存储器区块的标记比特。通过感测标记比特的值，可以确定相应的存储器区块是否已执行后编程操作。若如标记比特确定的那样，相应的存储器区块未执行后编程操作，则在充电时间区间TA例如，在时间点t1的充电读取操作对多个未被选择的字线UWL施加负电压以正常地执行充电读取操作。这样，充电读取操作可以正常地执行并且不会造成错误，防止了存储器阵列的位线泄漏电流。须注意的是，标记比特可以储存在存储器区块中，并且用于记录对应的存储器区块是否被抹除。在本实施例中，当对应的存储器区块被抹除时，标记比特被设置为第一逻辑电位。另一方面，当对应的存储器区块执行后编程操作时，标记比特被设置为第二逻辑电位且标记比特被清空。第一逻辑电位与第二逻辑电位互补。此外，在本实施例中，在读取时间区间TA之后不需要立刻对存储器区块执行后编程操作。因此，不需要等待即可对存储器阵列进行存取。以下请参考图4，图4是根据本发明一实施例利用预编程、抹除和后编程操作NOR型快闪存储器的示意图。在图4中，NOR型快闪存储器包括存储器区块410、感测和漏极驱动器420及选择器430。感测和漏极驱动器420电性连接至选择器430，并且根据选择器430的选择信号SEL提供驱动信号至位线BL1至BLN。存储器区块410电性连接至位线BL1至BLN并且接收字线信号A至A及MB。字线信号A至A可以是读取操作及编程操作的地址信号。字线信号MB可以用于编程或读取标记比特。在预编程操作或后编程操作期间，由选择器430选择所有的位线BL1至BLN，并且感测和漏极驱动器420将所有的位线BL1至BLN设置为第一电压VPPD。同时，字线信号A至A及MB被设置为第二电压VPPI，并且存储器区块410的阱被拉至地电压例如0V。第一电压VPPD和第二电压VPPI相对于地电压具有高电压电位，并且可以对存储器区块410的存储单元进行编程。应该注意的是，当后编程操作已经完成时，标记比特可被清空。另一方面，在抹除操作期间，所有的位线BL1至BLN可由选择器430设置为浮接floating状态。存储器区块410的阱被设置为第二电压VPPI，并且字线信号MB被设置为相对低的电压VEEI。此外，根据对应的逻辑电位设置字线信号A至A的电压。也就是说，如果字线信号A至A中的一个对应于逻辑“1”，则字线信号A至A中的对应于逻辑“1”的信号的电压电位被设置为电压VEEI。相反地，如果字线信号A至A中的一个对应于逻辑“0”，则字线信号A至A中的对应于逻辑“0”的信号的电压电位被设置为第二电压VPPI。在抹除操作期间，标记比特被抹除至清空状态，并且标记比特用以标识存储器区块410已被抹除。以下请参考图5，图5是根据本发明一实施例所述充电读取操作正常运行的示意图。在对已被抹除的存储器区块510完成充电读取操作之后，存储器阵列500的未被选择的字线UWLx被设置为负电压。因此，存储器区块520可以正常地执行充电读取操作而不会造成错误，并且防止了存储器阵列500的位线泄漏电流。以下参考图6，图6是根据本发明一实施例所述后编程操作的流程图。在本实施例中，在充电读取操作之后，不需要立即执行后编程操作。在图6中，由恢复指令激活后编程操作。如果在步骤S610中接收到恢复指令，则NOR型快闪存储器根据存储器区块的标记比特检查存储器区块的抹除状态步骤S620。如果标记比特未处于清空状态，则可以看出，由于电源电压下降，相应的存储器区块未执行后编程操作，并且相应的存储器区块未完成抹除操作。相应地，在步骤S630中对相应的存储器区块执行后编程操作。在时间点t2时完成后编程操作，并且相应的存储器区块的标记比特在时间点t2时被清空。以下请参考图7，图7是根据本发明一实施例所述另一后编程操作的流程图。在本实施例中，在充电读取操作之后不需要立即执行后编程操作。在图7中，由写指令激活后编程操作。也就是说，在步骤S710中当NOR型快闪存储器装置接收到写入指令时，在步骤S720中NOR型快闪存储器装置检查存储器区块的抹除状态。根据相应的存储器区块的标记比特来检查抹除状态。如果标记比特未处于清空状态，则在步骤S730中对相应的存储器区块执行后编程操作。当已完成后编程操作，在时间点t3时相应的存储器区块的标记比特被清空。在完成后编程操作的时间点t3，在步骤S740中接收另一写入指令。以下请参考图8，图8是根据本发明一实施例所述NOR型快闪存储器的方框示意图。NOR型快闪存储器装置800包括存储器控制器810以及一个或多个存储器阵列820。存储器控制器810电性连接至存储器阵列820。存储器阵列820包括多个存储器区块821。存储器控制器810被配置成：在充电时间区间期间对NOR型快闪存储器装置800执行充电操作；在充电时间区间之后的读取时间区间执行充电读取操作，并且读取快闪存储器装置的存储器区块821的标记比特；以及对多个未被选择的字线施加负电压以正常地执行充电读取操作。在上述实施例中已对存储器控制器810的操作进行详细描述，在此不再赘述。此外，在一些实施例中，存储器区块821也可以实作为多个存储器扇区。总之，在充电读取操作之后对未被选择的字线施加负电压。不需要立即执行后编程操作，并且可以防止由于电压下降引起的来自位线的泄漏电流。因此，充电读取操作可以无误地且不需要等待后编程操作正常执行，提高了NOR快闪存储器的效率。虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

权利要求：1.一种恢复及读取方法，适用于一种NOR型快闪存储器装置，包括：在充电时间区间对所述NOR型快闪存储器装置执行充电操作；在所述充电时间区间之后的读取时间区间执行充电读取操作，在所述读取时间区间从所述快闪存储器装置的存储器阵列的存储器区块中读取标记比特；以及对多个未被选择的字线施加负电压以正常的执行所述充电读取操作。2.根据权利要求1所述的恢复及读取方法，其中所述标记比特用以记录相应的存储器区块是否被抹除。3.根据权利要求1所述的恢复及读取方法，其中在所述充电时间区间对NOR型快闪存储器装置执行所述充电操作包括：将操作电源电压从0V升高到预设的电压电位；以及感测所述操作电源电压的电压电位，并且通过判断所述操作电源电压的电压电位是否高于阈值电压来设置所述充电时间区间。4.根据权利要求3所述的恢复及读取方法，其中在所述充电时间区间之后的所述读取时间区间执行所述充电读取操作包括：当所述操作电源电压的电压电位高于所述阈值电压时执行所述充电读取操作。5.根据权利要求1所述的恢复及读取方法，其中还包括：接收恢复指令；以及根据所述恢复指令和所述标记比特判断是否对所述存储器区块执行后编程操作。6.根据权利要求5所述的恢复及读取方法，其中根据所述恢复指令和所述标记比特判断是否对所述存储器区块执行所述后编程操作包括：若所述标记比特未处于清空状态，则根据所述恢复指令及所述标记比特对所述存储器区块执行所述后编程操作。7.根据权利要求6所述的恢复及读取方法，还包括在完成所述存储器区块的后编程操作后将所述标记比特清空。8.根据权利要求1所述的恢复及读取方法，还包括：接收写入指令；以及根据所述写入指令和所述标记比特判断是否对所述存储器区块执行后编程操作。9.根据权利要求8所述的恢复及读取方法，其中根据所述写入指令和所述标记比特判断是否对所述存储器区块执行所述后编程操作包括：若所述标记比特未处于清空状态，根据所述写入指令和所述标记比特对所述存储器区块执行所述后编程操作；以及在完成所述存储器区块的所述后编程操作后将所述标记比特清空。10.一种NOR型快闪存储器装置，包括：至少一存储器阵列，所述存储器阵列包括至少一存储器区块；存储器控制器，与所述至少一存储器区块连接，所述存储器控制器被配置成：在充电时间区间对所述NOR型快闪存储器装置执行充电操作；在所述充电时间区间之后的读取时间区间执行充电读取操作，在所述读取时间区间从所述快闪存储器装置的所述存储器区块中读取标记比特；以及对多个未被选择的字线施加负电压以正常的执行所述充电读取操作。

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