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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请提供一种闪存器件的测试结构，包括：闪存单元、层间绝缘层、若干导电插塞和图案化的金属层，其中，金属层覆盖到的每一列中，互相保持断开并且两两相邻的金属层之间的浮栅层、ONO膜层、控制栅层和金属硅化物层保持相连。本申请通过不刻蚀各列中的两两相邻并且互相保持断开的金属层之间的控制栅层，并且在控制栅层表面形成电阻较小的金属硅化物层，由金属硅化物层代替传统测试结构中的控制栅多晶硅串联在测试电路中，避免电阻较大的控制栅多晶硅对CG‑CT接触电阻测试的测试结果的影响，减小测试中的系统误差，提升测试值的准确性。
主权项：1.一种闪存器件的测试结构，其特征在于，包括：阵列式排布的闪存单元、层间绝缘层、若干导电插塞和图案化的金属层，其中，所述闪存单元包括：衬底、位于衬底表面的栅氧化层、位于所述栅氧化层上并且依次堆叠的浮栅层、ONO膜层和控制栅层以及覆盖所述控制栅层表面的金属硅化物层；其中，所述金属层覆盖到的每一列中，互相保持断开并且两两相邻的金属层之间的金属硅化物层、控制栅层、ONO膜层和浮栅层保持相连；所述层间绝缘层覆盖所有的闪存单元，所述导电插塞贯穿所述层间绝缘层并且与所述金属硅化物层直接接触，所述金属层覆盖所述导电插塞以及部分所述层间绝缘层的表面；其中，第一金属层、第一导电插塞、第一导电插塞和第二导电插塞之间的所述金属硅化物层、第二导电插塞以及第二金属层依次串联，构成最小规格的测试电路，在所述测试结构工作时，在任意两块保持断开的金属层上施加一定的电压差，电流流经至少一条所述测试电路，以进行WAT电性测试。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存器件的测试结构
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