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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法，包括：1制备衬底结构，包括半导体衬底，半导体衬底中插入有介质牺牲层；2定义器件区域，对器件区域进行阱掺杂，并器件区域外围形成隔离区；3刻蚀介质牺牲层上方的半导体层，以形成线型半导体沟道，线型半导体沟道两端连接有半导体层；4采用湿法腐蚀去除介质牺牲层以在线型半导体沟道下方形成空腔；5形成包围线型半导体沟道的栅介质层及栅电极层，以形成栅极结构；6在线型半导体沟道两端的半导体层中形成源区及漏区。本发明可避免介质牺牲层的侧向腐蚀，本发明的器件具有较高的电学性能，同时具有较小的工艺难度，以及更广泛的工艺兼容性。
主权项：1.一种具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1制备衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底，所述半导体衬底中插入有介质牺牲层；2定义器件区域，所述器件区域包括所述介质牺牲层及包覆所述介质牺牲层的半导体层，对所述器件区域进行阱掺杂，并所述器件区域外围形成隔离区；3刻蚀所述介质牺牲层上方的半导体层，以形成线型半导体沟道，所述线型半导体沟道两端连接有所述半导体层；4采用湿法腐蚀去除所述介质牺牲层以在所述线型半导体沟道下方形成空腔，所述湿法腐蚀自动停止于所述半导体层；5形成包围所述线型半导体沟道的栅介质层及栅电极层，以形成栅极结构；6在所述线型半导体沟道两端的所述半导体层中形成源区及漏区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法
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