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信息存储应用技术
  • 一种MOF衍生的碳纳米管封装镍和二硒化镍复合电极材料及其制备方法和应用
    一种MOF衍生的碳纳米管封装镍和二硒化镍复合电极材料及其制备方法和应用_四川农业大学_202411318008.2
    本发明公开了一种MOF衍生的碳纳米管封装镍和二硒化镍复合电极材料及其制备方法和应用，属于新材料技术领域。本发明以类沸石咪唑酯骨架化合物ZIF‑8为碳源，镍盐、硒粉分别为镍源和硒源，经过化学回流、高温煅烧及化学气象沉积反应得到复合电极材料。本...
    2024-12-27
  • 一种车辆外廓尺寸测量方法
    一种车辆外廓尺寸测量方法_贵州小铖实业发展有限公司_202411361531.3
    本申请涉及车辆检测技术领域，具体公开了一种车辆外廓尺寸测量方法，包括以下步骤；1、将左、右激光雷达分别安装在车辆行驶的检测区域两侧，2、将左、右激光雷达采集到的点云数据集统一至同一坐标下，然后根据设定的阈值范围对点云数据去噪，得到左点云数据...
    2024-12-27
  • 一种概率器件的读写电路、方法以及阵列
    一种概率器件的读写电路、方法以及阵列_致真存储(北京)科技有限公司_202411295844.3
    本申请提供了概率器件的读写电路、方法以及阵列，涉及集成电路设计技术领域。包括偏置模块、概率器件、初始化基底电压模块及监测模块。偏置模块连接概率器件的第一端，初始化基底电压模块的第一端连接概率器件的第二端，第二端与监测模块连接。偏置模块用于向...
    2024-12-27
  • 存储器件及其操作方法
    存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202410230794.4
    提供了存储器件及其操作方法。所述存储器件包括：至少一个交换电路，所述至少一个交换电路使用修复数据将多个译码行地址与一个修复地址交换；至少一个寄存器，所述至少一个寄存器存储所述修复数据；字线激活信号驱动器，所述字线激活信号驱动器接收所述修复地...
    2024-12-27
  • 存储器件
    存储器件_三星电子株式会社_202410422790.6
    提供了一种具有行译码器电路架构的存储器件。所述存储器件包括外围电路结构和设置在所述外围电路结构上并与所述外围电路结构竖直交叠的单元阵列结构。所述单元阵列结构可以包括多个存储块，所述多个存储块包括多个竖直沟道晶体管结构和分别连接到所述竖直沟道...
    2024-12-27
  • 驱动电路
    驱动电路_长鑫存储技术有限公司_202310680413.8
    本申请涉及一种驱动电路。驱动电路包括：第一驱动模块，包含多个第一驱动器，用于接收数据信号和驱动选择信号，并根据驱动选择信号控制各个第一驱动器是否开启，第一驱动器在高速模式的开启数量大于在低速模式的开启数量；第二驱动模块，与第一驱动模块连接且...
    2024-12-27
  • 存储单元、存储结构及存储阵列结构
    存储单元、存储结构及存储阵列结构_长鑫存储技术有限公司_202310692544.8
    本申请涉及一种存储单元、存储结构及存储阵列结构。存储单元包括：磁存储器，包括U型磁性跑道，磁性跑道包括第一端及第二端，磁性跑道内设有多个磁畴；垂直晶体管，与U型磁性跑道的第一端相连接；第一选择线，位于垂直晶体管远离U型磁性跑道的一端，与垂直...
    2024-12-27
  • 存储器装置及操作存储器装置的方法
    存储器装置及操作存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202311766227.2
    本申请涉及存储器装置及操作存储器装置的方法。根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括分别连接到多条字线的多个存储器单元；外围电路，其包括电压生成电路和连接到存储器单元并锁存从存储器单元感测到的数据的页缓冲器；以及控制...
    2024-12-27
  • 三维相变存储装置及其控制方法
    三维相变存储装置及其控制方法_长江先进存储产业创新中心有限责任公司_202380009086.1
    一种存储装置包括存储单元阵列和耦合到存储单元阵列的控制逻辑。存储单元阵列包括字线、位线以及连接在字线和位线之间的存储单元。控制逻辑被配置成：接收刷新命令；存储来自存储单元阵列的第一读出数据；并且响应于满足预定条件，根据第一读出数据对存储单元...
    2024-12-27
  • 电子装置及其存储器刷新操作的控制方法
    电子装置及其存储器刷新操作的控制方法_华邦电子股份有限公司_202310910834.5
    本发明提供一种电子装置及其存储器刷新操作的控制方法。电子装置包括存储器以及控制器。存储器包括多个定时器、多个缓冲器以及中断信号产生器。各缓冲器用以存储至少一字线信息，根据对应的各定时器的计时结果触发信号以产生刷新字线信息。中断信号产生器根据...
    2024-12-27
  • 一种大跨度悬挑结构模板支撑连接件
    一种大跨度悬挑结构模板支撑连接件_山东高速舜通路桥工程有限公司_202420374343.3
    本实用新型属于悬挑建筑技术领域，涉及一种大跨度悬挑结构模板支撑连接件，包括墙体、支撑顶板、调节连接组件和调节支撑件，调节支撑件一端可拆卸安装在支撑顶板下表面，调节支撑件另一端可拆卸安装在墙体上，支撑顶板下表面安装有调节连接组件，支撑顶板远离...
    2024-12-27
  • 一种基于人工智能的互联网应用分析方法
    一种基于人工智能的互联网应用分析方法_常州达坤节能科技有限公司_202411170750.3
    本发明提供一种基于人工智能的互联网应用分析方法，包括：S1：将需要分析的关键指标、异常进行录入后，在应用中进行数据埋点，收集相关数据。本发明提供一种基于人工智能的互联网应用分析方法，通过在应用中不通过的数据埋点，将需要分析的关键指标、异常进...
    2024-12-27
  • 运维监控系统
    运维监控系统_中科云谷科技有限公司_202411644648.2
    本申请实施例涉及工程机械技术领域，提供一种运维监控系统。系统包括：监控告警模块，包括服务器监控模块以及平台监控模块，服务器监控模块部署于每个服务节点上，用于实时获取每个服务节点的性能参数以对产品全生命周期管理平台的性能进行监控，并针对每个节...
    2024-12-27
  • 一种激光测径仪
    一种激光测径仪_苏州英示测量科技有限公司_202420817371.8
    本实用新型公开了一种激光测径仪，操控台上设有偏摆仪、传动组件、测径组件和被测工件；偏摆仪能够使被测工件转动；传动组件包括导轨、光栅尺、皮带模组和第二电机，第二电机与皮带模组连接，导轨、光栅尺均与被测工件的长度方向平行；测径组件设有用于测量被...
    2024-12-27
  • 一种编码器码盘安装组件
    一种编码器码盘安装组件_长春科德光电科技有限公司_202421026905.1
    本实用新型公开了一种编码器码盘安装组件，涉及编码器技术领域，包括编码器外壳，编码器外壳外侧固定安装有连接器，编码器外壳上端固定安装有安装座，安装座下端一侧固定安装有发光二极管，安装座内固定安装有轴承，轴承内活动安装有转轴，转轴一端固定安装有...
    2024-12-27
  • 用于读取阵列中的闪存单元的带位线预充电电路的改进读出放大器
    用于读取阵列中的闪存单元的带位线预充电电路的改进读出放大器_硅存储技术公司_202110158850.4
    本发明涉及用于读取阵列中的闪存单元的值的改进读出放大器。在一个实施例中，读出放大器包括改进的预充电电路，以用于在预充电周期期间对位线进行预充电，从而提高读操作的速度。在另一个实施例中，读出放大器包括简化的地址解码电路，以提高读操作的速度。
    2024-12-27
  • 一种基于柔性纤维电极的全固态超级电容器及其制备方法
    一种基于柔性纤维电极的全固态超级电容器及其制备方法_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202410682772.1
    本发明涉及一种基于柔性纤维电极的全固态超级电容器及其制备方法，首先通过液相法获得在集流体镍丝上的Co‑MOF前驱体(NW@Co‑MOF)，再将NW@Co‑MOF置于锰盐溶液中静置反应后得到由Co‑MOF前驱体为牺牲模板衍生的钴锰氧化物电极(...
    2024-12-27
  • 一种三相4P大电流导轨电能表
    一种三相4P大电流导轨电能表_温州万星电气有限公司_202323633766.7
    本实用新型公开一种干扰少，体积小的三相4P大电流导轨电能表。采用的技术方案包括：包括底座、安装于所述底座上端的上盖及安装于所述底座内的电路板，所述底座的二端设有对称的四个接线端口，每个所述接线端口内设有接线端子组件，相对的所述接线端口之间分...
    2024-12-27
  • 存储模块温度控制系统及方法
    存储模块温度控制系统及方法_成都紫光国芯电子有限公司_202411176714.8
    本发明提出了存储模块温度控制系统及方法，属于存储模块性能测试技术领域，该系统包括主控、温控组件和温控装置，温控组件包括：安装腔室、加热层以及导热风扇，安装腔室用于为存储模块提供测试腔体，加热层用于加热测试腔体；导热风扇置于安装腔室内的加热层...
    2024-12-27
  • 存储器系统、存储器器件及其形成方法
    存储器系统、存储器器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202411152311.X
    半导体器件包括：存储器单元，随机呈现第一逻辑状态或第二逻辑状态并且形成在衬底的第一侧上；以及第一位线和第二位线，形成在衬底的与第一侧相对的第二侧上。存储器单元包括：编程晶体管，具有第一源极/漏极端子和第二源极/漏极端子；第一读取晶体管，第一...
    2024-12-27
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