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摘要:本发明涉及用于读取阵列中的闪存单元的值的改进读出放大器。在一个实施例中,读出放大器包括改进的预充电电路,以用于在预充电周期期间对位线进行预充电,从而提高读操作的速度。在另一个实施例中,读出放大器包括简化的地址解码电路,以提高读操作的速度。
主权项:1.一种用于读取闪存单元的第一阵列中的所选闪存单元的感测电路,包括:耦合到所述第一阵列中的第一位线的第一电路,所述第一电路包括用于响应于第一控制信号YENB_B将所述第一位线拉至接地的第一NMOS晶体管205,在预充电周期期间分别地响应于第二控制信号SENB和第三控制信号ATD_B将第一节点预充电到预定电压的第一PMOS晶体管203和第二PMOS晶体管202,以及用于在所述预充电周期期间将所述第一位线与所述第一节点隔离的第三PMOS晶体管204;耦合到闪存单元的第二阵列中的第二位线的第二电路,所述第二电路包括用于响应于所述第一控制信号YENB_B将所述第二位线拉至接地的第二NMOS晶体管209,在所述预充电周期期间分别地响应于所述第二控制信号SENB和所述第三控制信号ATD_B将第二节点预充电到所述预定电压的第四PMOS晶体管207和第五PMOS晶体管206,以及用于在所述预充电周期期间将所述第二位线与所述第二节点隔离的第六PMOS晶体管208;晶体管,耦合在所述第一节点和所述第二节点之间,以确保所述第一节点和所述第二节点在所述预充电周期期间被预充电至所述预定电压;以及比较器,所述比较器包括耦合到所述第一电路中的所述第一节点的第一输入,以及耦合到所述第二电路中的所述第二节点的第二输入,所述比较器的输出指示存储在所述所选闪存单元中的值。
权利要求:
百度查询: 硅存储技术公司 用于读取阵列中的闪存单元的带位线预充电电路的改进读出放大器
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