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摘要：本申请涉及一种存储单元、存储结构及存储阵列结构。存储单元包括：磁存储器，包括U型磁性跑道，磁性跑道包括第一端及第二端，磁性跑道内设有多个磁畴；垂直晶体管，与U型磁性跑道的第一端相连接；第一选择线，位于垂直晶体管远离U型磁性跑道的一端，与垂直晶体管相连接；第一位线，与U型磁性跑道的第二端相连接；第二位线，位于U型磁性跑道远离第一端及第二端的一侧；磁性隧道结，位于第二位线远离U型磁性跑道的一侧，与第二位线相接触；第二选择线，与磁性隧道结远离第二位线的一端相连接。采用本申请的存储单元能够增大存储密度。
主权项：1.一种存储单元，其特征在于，包括：磁存储器，包括U型磁性跑道，所述磁性跑道包括第一端及第二端，所述磁性跑道内设有多个磁畴；垂直晶体管，与所述U型磁性跑道的第一端相连接；第一选择线，位于所述垂直晶体管远离所述U型磁性跑道的一端，与所述垂直晶体管相连接；第一位线，与所述U型磁性跑道的第二端相连接；第二位线，位于所述U型磁性跑道远离所述第一端及第二端的一侧；磁性隧道结，位于所述第二位线远离所述U型磁性跑道的一侧，与所述第二位线相接触；第二选择线，与所述磁性隧道结远离所述第二位线的一端相连接。
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储单元、存储结构及存储阵列结构
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