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信息存储应用技术
  • 具有垂直字线的3D DRAM
    具有垂直字线的3D DRAM_IMEC非营利协会_202411158910.2
    本公开涉及一种3D DRAM。该DRAM包括具有存储器单元的3D阵列的块。该块包括沿第一轴堆叠的多个平面，每一平面包括按照沿垂直于第一轴的第二轴延伸的行和沿垂直于第一和第二轴的第三轴延伸的列来组织的存储器单元的2D阵列。该块被划分成沿第二轴...
    2025-06-13
  • 内存装置及其噪声抑制方法
    内存装置及其噪声抑制方法_南亚科技股份有限公司_202410117433.9
    本发明提供一种内存装置及其噪声抑制方法。内存电路的输入接收电路接收数据选通差动信号对。噪声抑制电路于写入序言期间前的写入数据选通关闭期间，提供连接于输入接收电路的输入端与接地电压之间的噪声抑制电阻。
    2025-06-13
  • 一种提高SRAM读写速度的电路实现方法
    一种提高SRAM读写速度的电路实现方法_安徽大学_202510244193.3
    本发明提供了一种提高SRAM读写速度的电路实现方法，属于电路设计技术领域，包括包括：SRAM储存单元，SRAM储存单元包括晶体管组件和反向器组件，晶体管组件包括晶体管一、晶体管二、晶体管三、晶体管四、晶体管五和晶体管六，反向器组件包括反相器...
    2025-06-13
  • 用于执行电阻器偏移校准训练的存储器装置和存储器系统
    用于执行电阻器偏移校准训练的存储器装置和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202380011254.0
    根据本公开的一方面，提供一种外围电路。外围电路可以包括DQ电路，所述DQ电路包括多个决策反馈均衡(DFE)部件。外围电路可以包括电阻器偏移校准(RXOC)电路。RXOC电路可以包括振荡器。振荡器可以生成内部时钟源。RXOC电路可以包括DQ选...
    2025-06-13
  • 控制器内支持权重预取的近存计算加速电路
    控制器内支持权重预取的近存计算加速电路_复旦大学_202510151061.6
    本发明提供一种控制器内支持权重预取的近存计算加速电路，其面向三维堆叠DRAM架构，采用制器内集成近存处理模块的PIC技术，PIC与三维堆叠DRAM之间支持通过TSV或混合键合方式封装互连，能够以更低的成本和更短的存储‑计算路径，实现了显著的...
    2025-06-13
  • 一种单比特差分SRAM存算一体阵列及装置
    一种单比特差分SRAM存算一体阵列及装置_中科南京智能技术研究院_202210277264.6
    本发明涉及一种单比特差分SRAM存算一体阵列及装置，阵列包括：多个存算一体单元、第一电容和第二电容；各存算一体单元均包括：6T‑SRAM存储单元、第一反相器、第二反相器、晶体管TL3和晶体管TR3；第一反相器分别与存储单元和TL3的漏极连接...
    2025-06-13
  • 权重单元和电子装置
    权重单元和电子装置_三星电子株式会社_202010091274.1
    本发明公开一种权重单元和电子装置。权重单元包含：第一场效应晶体管(FET)和第一电阻式存储器元件，第一电阻式存储器元件连接到第一场效应晶体管的漏极；以及第二场效应晶体管和第二电阻式存储器元件，第二电阻式存储器元件连接到第二场效应晶体管的漏极...
    2025-06-13
  • 具有位线选择和预充电晶体管的3D DRAM
    具有位线选择和预充电晶体管的3D DRAM_IMEC非营利协会_202411803168.6
    本公开涉及3D动态随机存取存储器(3D DRAM)。该DRAM包括具有存储器单元的3D阵列的块。该块包括沿第一轴堆叠的平面集合，包括连贯地堆叠的平面的子集。该子集中的每一平面包括按行和列组织的存储器单元的2D阵列。该块被划分成沿第二轴布置的...
    2025-06-13
  • 一种以煤基多孔类石墨烯碳材料为正极的钠离子电容器及其制备方法
    一种以煤基多孔类石墨烯碳材料为正极的钠离子电容器及其制备方法_西安热工研究院有限公司_202510548186.2
    本发明属于钠离子电容器技术领域，公开了一种以煤基多孔类石墨烯碳材料为正极的钠离子电容器及其制备方法，本发明钠离子电容器包括负极极片，负极极片表面设有含有电解质的隔膜，所述含有电解质的隔膜表面设有正极极片，所述正极极片的活性材料采用煤基多孔类...
    2025-06-13
  • 三态查找存储器的实时自刷新纠错方法、装置及存储介质
    三态查找存储器的实时自刷新纠错方法、装置及存储介质_昆高新芯微电子(江苏)有限公司_202510194251.6
    本发明公开了本发明提供一种三态查找存储器的实时自刷新纠错方法、装置和存储介质，包括以下步骤：S01，调度的步骤，判断当前是否有业务操作请求，有则将自刷新操作请求延后，待无操作时再执行，以保障正常的业务性能，不会因插入自检操作而导致实时的业务...
    2025-06-13
  • 低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元
    低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元_三星电子株式会社_202010122849.1
    本文公开了一种低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元和设备。权重单元包括：第一场效应晶体管(FET)和连接到第一FET的漏极的第一电阻性存储器元件；第二FET和连接到第二FET的漏极的第二电阻性存储器元件，第一晶体管的漏极FE...
    2025-06-13
  • 高速缓存元数据管理
    高速缓存元数据管理_美光科技公司_202110689661.X
    本申请涉及高速缓存元数据管理。存储器子系统可包含与非易失性存储器和易失性存储器耦合的接口控制器。所述接口控制器可以使用诸如有效性信息和脏信息等元数据来将所述易失性存储器操作为高速缓存。所述接口控制器可将所述脏信息存储在所述易失性存储器中，并...
    2025-06-13
  • 具有DQS计数器电路的半导体装置
    具有DQS计数器电路的半导体装置_美光科技公司_202411030202.0
    本公开涉及具有DQS计数器电路的半导体装置。一种实例设备包含：分频电路，其经配置以对与一组写入数据同步地供应的原始数据选通信号进行分频，以产生具有彼此相互不同的相位的第一到第四数据选通信号；第一数据锁存电路，其经配置以与所述第一数据选通信号...
    2025-06-13
  • 一种椰壳基硬碳负极电极材料的制备方法
    一种椰壳基硬碳负极电极材料的制备方法_浙江领亿新能源科技有限公司_202510423504.2
    本发明公开了一种椰壳基硬碳负极电极材料的制备方法，以廉价、绿色环保的椰壳为碳源、氢氧化钾为活化剂，来制备高比表面积的椰壳基硬碳负极电极材料；本发明通过杂化官能团和层状多孔结构改善了碳材料的电容性；层状多孔结构不仅为离子传递提供了开放通道，缩...
    2025-06-13
  • 提高晶圆利用率的芯片固化方法、装置、设备及存储介质
    提高晶圆利用率的芯片固化方法、装置、设备及存储介质_芯天下技术股份有限公司_202111628636.7
    本发明涉及芯片技术领域，具体公开了一种提高晶圆利用率的芯片固化方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：将完成冗余替换后的所述裸片等分为多个存储区域；对所述裸片进行内建自测试以获取各个所述存储区域的结果信息，所述结果信息用于标记对...
    2025-06-13
  • 性能压测方法、装置及服务器和计算机可读存储介质
    性能压测方法、装置及服务器和计算机可读存储介质_腾讯音乐娱乐科技(深圳)有限公司_202010831666.7
    本申请公开了一种性能压测方法、装置及一种服务器和计算机可读存储介质，该方法包括：确定压测对象和压测对象对应的协议类型，并获取协议类型对应的目标文件；其中，目标文件用于描述符合协议类型的数据包的数据结构；基于压测对象的接入服务在目标设备上部署...
    2025-06-13
  • 一种泡沫镍负载硫化钴/硫化镍NF-CoS/NiS及其制备方法和应用
    一种泡沫镍负载硫化钴/硫化镍NF-CoS/NiS及其制备方法和应用_桂林电子科技大学_202510378432.4
    本发明公开了一种泡沫镍负载硫化钴/硫化镍NF‑CoS/NiS，首先，以泡沫镍NF为基底，通过第一次电沉积在NF表面负载氢氧化钴，然后，通过浸渍法转化为ZIF‑67，随后，通过硫代乙酰胺和水热反应进行硫化，最后，通过第二次电沉积负载Ni
    2025-06-13
  • 存储器装置的操作方法
    存储器装置的操作方法_旺宏电子股份有限公司_202010984535.2
    本发明公开了一种存储器装置的操作方法包括：准备编程一目标字线；判断一相邻字线的至少一存储器单元是否要被编程至一第一目标状态；以及根据该相邻字线的该至少一存储器单元是否要被编程至该第一目标状态，决定先编程该相邻字线或先编程该目标字线。
    2025-06-13
  • 一种自动化建筑测量装备
    一种自动化建筑测量装备_北京建筑大学_202421697220.X
    本申请实施例提供一种自动化建筑测量装备，涉及测量设备技术领域，包括：第一激光测距单元、第二激光测距单元、视觉测距单元、第一电机单元、第二电机单元、电池、支撑框架；所述电池用于供电；本申请实施例第一激光测距单元和第二激光测距单元同步旋转，在提...
    2025-06-13
  • 存储系统及其操作方法
    存储系统及其操作方法_芯动微电子科技(珠海)有限公司_202210424496.X
    本发明公开了一种存储系统及其操作方法。该系统中的DDR5DIMM包括第一子通道；第一子通道包括第一组数据缓存器和第一组DRAM芯片；第一组数据缓存器(DB)用于以第一速率通过第一组数据总线获取第一数据和第一ECC码，还用于以第二速率通过第二...
    2025-06-13
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