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信息存储应用技术
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_三星电子株式会社_202410193915.2
    提供了存储器装置及其驱动方法。根据实施例的存储器装置可包括：第一单元，其包括第一晶体管和连接至第一晶体管并且存储对应于数据的电压的电容器；第二单元，其包括第二晶体管；电压生成电路，其将电压施加至第二晶体管的源极、栅极和漏极，并且施加至第一晶...
    2024-09-08
  • 存储器字线刷新方法、激活方法、装置、设备和介质
    存储器字线刷新方法、激活方法、装置、设备和介质_浙江力积存储科技有限公司_202410778744.X
    本公开实施例提供的存储器字线刷新方法、激活方法、装置、设备和介质，包括：响应于接收到的刷新指令，获取刷新地址；根据各内存阵列中与刷新地址中第一区域包括的地址位所对应的地址的字线的状态信息，确定目标内存阵列；根据刷新地址中第二区域包括的地址位...
    2024-09-08
  • 用于非易失静态随机存取存储器架构的扩展写入模式
    用于非易失静态随机存取存储器架构的扩展写入模式_意法半导体(鲁塞)公司_201910665419.1
    本公开涉及用于非易失静态随机存取存储器架构的扩展写入模式。本文中公开了一种方法，其中每个易失性存储器单元具有与其相关联的至少一个非易失性存储器单元。该方法包括步骤：a)接收包括至少一个地址和要写入该至少一个地址的至少一个数据字的非易失性写入...
    2024-09-08
  • 存算一体单元结构
    存算一体单元结构_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202410669678.2
    本发明公开了一种存算一体单元结构，SRAM存储单元包括由两个CMOS反相器连接形成的存储单元主体电路和单端写入电路，单端写入电路的第一传输管和一个存储节点连接。功能切换单元包括连接在两根读位线之间的两个存储数据控制管，存储数据控制管之间的中...
    2024-09-08
  • 存储器装置和用于校准其输入-输出电路的阻抗的方法
    存储器装置和用于校准其输入-输出电路的阻抗的方法_三星电子株式会社_202311527467.7
    公开了一种存储器装置和用于校准其输入‑输出电路的阻抗的方法，所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；输入/输出电路，被配置为将通过数据垫从外部(例如，外部源)接收的数据发送到存储器单元阵列或将从存储器单元阵列读取的数据发送到...
    2024-09-08
  • 地址计数电路及包括地址计数电路的半导体装置
    地址计数电路及包括地址计数电路的半导体装置_爱思开海力士有限公司_202011129562.8
    地址计数电路及包括地址计数电路的半导体装置。一种地址计数电路包括：共享地址计数电路，其被配置为通过在计数时钟信号的第一沿和第二沿对外部起始地址进行计数，来生成第一共享地址和第二共享地址；以及锁存电路，其包括多个锁存器，所述多个锁存器被配置为...
    2024-09-08
  • 存储装置以及用于形成存储装置的方法
    存储装置以及用于形成存储装置的方法_长江存储科技有限责任公司_202380010332.5
    一种存储装置包括存储阵列结构和外围结构。所述存储阵列结构包括至少一个存储体，并且每个存储体包括多个存储块。所述外围结构包括字线驱动器电路和感测放大器电路。在所述存储装置的平面图中，包括所述字线驱动器电路和所述感测放大器电路的第一区域与包括存...
    2024-09-08
  • 一种大型薄壁轴承多几何量的非接触测量装置
    一种大型薄壁轴承多几何量的非接触测量装置_大连理工大学_202410762371.7
    本发明公开了一种大型薄壁轴承多几何量的非接触测量装置，包括工作台、纵向运动单元、横向运动单元、测量单元、回转运动单元和夹持单元；所述纵向运动单元安装在工作台上，所述横向运动单元安装在纵向运动单元上、沿纵向运动单元垂直移动，所述测量单元安装在...
    2024-09-08
  • 电解电容器
    电解电容器_松下知识产权经营株式会社_202210299717.5
    本发明涉及一种电解电容器。电解电容器具备电容器元件和电解液。所述电容器元件具备：具有电介质层的阳极体、阴极体、和与所述电介质层接触的固体电解质。所述电解液包含：溶剂、溶质、和高分子成分。所述溶剂包含乙二醇化合物，所述高分子成分包含聚亚烷基二...
    2024-09-08
  • 基于SRAM存内计算宏单元的通用顶层测试电路系统及方法
    基于SRAM存内计算宏单元的通用顶层测试电路系统及方法_东南大学_202410688501.7
    本发明公开了一种基于SRAM存内计算宏单元的通用顶层测试电路系统及方法，属于集成电路领域，通过顶层测试电路系统进行调度，将测试数据/指令存储于宏单元输入数据/指令存储单元中，通过读出宏单元输入数据/指令存储单元指令将对应的测试数据/指令读出...
    2024-09-08
  • SRAM供电控制电路和控制器
    SRAM供电控制电路和控制器_拓斯达软件技术(东莞)有限公司_202323529286.6
    本实用新型公开了一种SRAM供电控制电路和控制器，SRAM供电控制电路包括SRAM模块、第一供电模块、第二供电模块、模式控制模块、片选截断模块和控制模块，第一供电模块的输出端和第二供电模块的输出端均与SRAM模块的电源端连接，SRAM模块的...
    2024-09-08
  • 数据存储结构、芯片及电子设备
    数据存储结构、芯片及电子设备_杭州缘及科技有限公司_202410688090.1
    本申请涉及集成电路设计领域，提供一种数据存储结构、芯片及电子设备。数据存储结构包括：半动态寄存器，包括第一动态锁存结构和第二静态锁存结构，所述第一动态锁存结构和所述第二静态锁存结构之间数据连接；所述第一动态锁存结构基于电极节点处的寄生电容存...
    2024-09-08
  • 一种NiOOH电极材料的制备方法及自充电超级电容器
    一种NiOOH电极材料的制备方法及自充电超级电容器_武汉大学_202410847544.5
    本发明涉及电极材料及电容器的技术领域，具体涉及一种NiOOH电极材料的制备方法及自充电超级电容器，首先在泡沫镍基底表面原位生长Ni‑MOF，再利用一步电化学氧化的方法将生长在泡沫镍基底的Ni‑MOF氧化为亲水的羟基氧化镍，得到所述自支撑的N...
    2024-09-08
  • 一种双电层超级电容器电极材料的制备方法及应用
    一种双电层超级电容器电极材料的制备方法及应用_山东海化集团有限公司_202410737302.0
    本发明公开了一种双电层超级电容器电极材料的制备方法及应用，属于超级电容器电极材料技术领域。将锌盐和对苯二甲酸分别溶解在溶剂中形成溶液A和溶液B，将溶液A和溶液B混合、密闭环境下进行加热反应，再经抽滤、真空干燥后得到MOF‑5前驱体材料；将前...
    2024-09-08
  • 存储器单元和用于管理存储器单元的逻辑状态的方法
    存储器单元和用于管理存储器单元的逻辑状态的方法_意法半导体国际公司_202410215090.X
    本公开涉及存储器单元和用于管理存储器单元的逻辑状态的方法。存储器单元由具有三个接触的PIN二极管形成。施加击穿电压以击穿设置在PIN二极管的区域和衬底区域之间的栅极氧化物。通过在二极管的阳极和阴极之间施加读取电压并确定在二极管中流动的相应电...
    2024-09-08
  • 存储器模块、操作存储器模块的方法以及存储装置
    存储器模块、操作存储器模块的方法以及存储装置_三星电子株式会社_202410099775.2
    提供存储器模块、操作存储器模块的方法以及存储装置。所述方法包括：基于从存储器控制器接收的一次性可编程(OTP)命令进入OTP寻址模式；基于从存储器控制器接收的多个模式寄存器命令来确定保护密钥序列是否被满足；以及基于确定保护密钥序列被满足，将...
    2024-09-08
  • 分体式超级蓄电容器
    分体式超级蓄电容器_江学虎_201810641131.6
    一种分体式超级蓄电容器，包括两个独立不直接接触的电极池，所述电极池包括绝缘壳体、设置在绝缘壳体内的电极、填充在电极间隙处的电介质，在二个电极池的绝缘壳体上彼此相对侧开设通孔，在所述通孔内设置绝缘介质层，两个绝缘介质层之间通过导线一、熔断器和...
    2024-09-08
  • 一种超级电容器正极材料NiCu@HE-NM及其制备方法
    一种超级电容器正极材料NiCu@HE-NM及其制备方法_东南大学_202410765564.8
    本发明公开了一种超级电容器正极材料NiCu@HE‑NM，由三维多孔的NiCu基底以及原位生长在NiCu基底表面及孔隙内的HE‑NM纳米片组成；其中，所述HE‑NM纳米片为高熵掺杂的NiMn‑LDH纳米片，高熵掺杂的元素为Mg、Cr和Mo。本...
    2024-09-08
  • 一种超级电容串联模组自动打标与装壳设备
    一种超级电容串联模组自动打标与装壳设备_辽宁工业大学_202410793699.5
    本发明公开了一种超级电容串联自动打标与装壳设备，包括：台架；料传送机构，其沿所述台架的长度方向设置；料入盘机构，其沿所述台架宽度方向设置，并靠近所述料传送机构的一端；第一转盘‑工位转换机构；第二转盘‑工位转换机构；所述第二转盘‑工位转换机构...
    2024-09-08
  • 一种利用表面活性剂辅助合成的离子掺杂和碳包覆双重改性NVPOF电极材料及其制备方法
    一种利用表面活性剂辅助合成的离子掺杂和碳包覆双重改性NVPOF电极材料及其制备方法_青岛科技大学_202410832361.6
    本发明属于电极材料制备技术领域，具体涉及一种利用表面活性剂辅助合成的离子掺杂和碳包覆双重改性NVPOF电极材料及其制备方法。本发明采用共沉淀技术，利用表面活性剂辅助合成的离子掺杂和碳包覆双重改性NVPOF电极材料，该材料由二维纳米片沿z轴自...
    2024-09-08
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