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摘要：本公开的各种实施例涉及一种包括电容器的集成电路。所述电容器位于衬底之上且包括第一电极，所述第一电极具有在垂直方向上彼此堆叠的多个第一电极层。所述多个第一电极层分别在多个第一连接区中接触相邻的第一电极层。第二电极包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第二电极层。所述多个第二电极层分别在多个第二连接区中接触相邻的第二电极层。所述多个第二电极层分别堆叠在所述多个第一电极层中的相邻的第一电极层之间。电容器介电结构将所述多个第一电极层与所述多个第二电极层分开。还提供一种形成沟槽电容器的方法。
主权项：1.一种集成电路，包括：衬底；以及电容器，设置在所述衬底之上且包括：第一电极，包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第一电极层，其中所述多个第一电极层分别在第一连接区中接触相邻的第一电极层；第二电极，包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第二电极层，其中所述多个第二电极层分别在第二连接区中接触相邻的第二电极层，其中所述多个第二电极层分别堆叠在所述多个第一电极层中的相邻的第一电极层之间；以及电容器介电结构，将所述多个第一电极层与所述多个第二电极层分开，其中所述第二电极的外侧壁直接上覆所述第一连接区。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法
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