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摘要：本发明提供了一种eDRAM器件的形成方法，包括：提供衬底，在衬底的表面依次形成衬垫氮化层和衬垫氧化层；刻蚀衬垫氧化层、衬垫氮化层和部分厚度的衬底，以形成间隔的若干个深沟槽；向深沟槽内依次填充介电材料层、阻挡层材料层和多晶硅材料层，介电材料层、阻挡层材料层和多晶硅材料层依次覆盖在衬垫氧化层的表面；研磨衬垫氧化层的表面的介电材料层、阻挡层材料层和多晶硅材料层以及衬垫氧化层，露出衬垫氮化层；去除上部分深沟槽内的多晶硅材料层；去除上部分深沟槽内的介电材料层和阻挡层材料层，剩余的介电材料层组成介电层，剩余的阻挡层材料层作为阻挡层；向上部分深沟槽内填充多晶硅材料层，所有多晶硅材料层作为多晶硅层。
主权项：1.一种eDRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的表面依次形成衬垫氮化层和衬垫氧化层；刻蚀所述衬垫氧化层、衬垫氮化层和部分厚度的衬底，以形成间隔的若干个深沟槽；向所述深沟槽内依次填充介电材料层、阻挡层材料层和多晶硅材料层，所述介电材料层、阻挡层材料层和多晶硅材料层依次覆盖在衬垫氧化层的表面；研磨所述衬垫氧化层的表面的介电材料层、阻挡层材料层和多晶硅材料层以及衬垫氧化层，露出所述衬垫氮化层；去除上部分所述深沟槽内的多晶硅材料层；去除所述上部分所述深沟槽内的介电材料层和阻挡层材料层，剩余的所述介电材料层组成介电层，剩余的所述阻挡层材料层作为阻挡层；向上部分所述深沟槽内填充多晶硅材料层，所有所述多晶硅材料层作为多晶硅层。
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百度查询： 杭州积海半导体有限公司 eDRAM器件的形成方法
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