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摘要：本申请公开了一种电容器件及电容器件的制造方法，包括：半导体基体、至少两层电极板层、复合绝缘层；至少两层电极板层，设置在半导体基体上，其中，第一电极板层设置在半导体基体上，第二电极板层设置在第一电极板层上；复合绝缘层设置在第一电极板层和第二电极板层之间，其中，复合绝缘层包括至少两层绝缘层和至少一层防击穿介质层。即本申请通过形成至少两层绝缘层和至少一层防击穿介质层构成的复合绝缘层，降低了绝缘层的等效厚度，进而有效提升电容器件的电容值，以提升后续产品的性能。
主权项：1.一种电容器件，其特征在于，包括：半导体基体；至少两层电极板层，设置在所述半导体基体的部分上，其中，第一电极板层设置在所述半导体基体上，第二电极板层设置在所述第一电极板层上；复合绝缘层，设置在所述第一电极板层和所述第二电极板层之间；其中，所述复合绝缘层包括第一绝缘层、防击穿介质层和第二绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一电极板层上，并与所述第一电极板层接触，所述防击穿介质层设置在所述第一绝缘层上，并与所述第一绝缘层接触，所述第二绝缘层设置在所述防击穿介质层上，并分别与所述防击穿介质层和所述第二电极板层接触；所述第一绝缘层的介电常数等于所述第二绝缘层的介电常数，所述防击穿介质层的介电常数小于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的介电常数；所述防击穿介质层为富硅氧化物层，且所述防击穿介质层的导电级别为微安级导电级别。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 一种电容器件及电容器件的制造方法
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