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摘要：本发明公开了一种增强型GaNHEMT器件制备方法，GaNHEMT器件制造技术领域，通过光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ长度和厚度的控制，实现曲面场板长度和曲面场板与下层材料之间倾斜夹角的调整。还公开了一种增强型GaNHEMT器件结构，通过在p‑GaN增强型GaNHEMT器件中引入曲面场板，由于曲面场板到沟道的距离相比到栅极的距离线性增加，此特性可以使沟道处的电场分布更为均匀，可以有效提高器件的击穿电压；常规增强型器件击穿电压约为900V，使用曲面长板工艺优化后击穿电压可达1200V。
主权项：1.一种增强型GaNHEMT器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，取得外延片1，外延片1的结构自下而上依次为衬底层11，缓冲层12，沟道层13，势垒层14和帽层15，在外延片1上表面制备介质层2，在介质层2表面光刻形成刻蚀图形，以CF4气体刻蚀介质层2，形成硬掩膜图形，使用光刻胶清洗剂去除顶层光刻胶；刻蚀外延片1的帽层15，刻蚀时保留栅极部分的帽层15，其余部分刻蚀停止于势垒层14上表面；步骤二，在势垒层14上表面的欧姆接触区域蒸镀金属，退火后形成欧姆接触的源极31和漏极32，在栅极肖特基接触区域蒸镀金属，形成肖特基接触的栅极33；步骤三，在步骤二完成后的外延片1上制备钝化层4；步骤四，在钝化层4上涂基于酚醛树脂的光刻胶Ⅰ51，经曝光、显影、坚膜后，以光刻胶Ⅰ51的右侧为基准涂厚度大于光刻胶Ⅰ51的光刻胶Ⅱ52，光刻胶Ⅱ52的长度小于光刻胶Ⅰ51，涂后对光刻胶Ⅱ52进行曝光、显影；步骤五，热熔回流步骤四所得的光刻胶Ⅰ51和光刻胶Ⅱ52，形成外壁为曲面的光刻胶块5，光刻胶块5左侧倾角为锐角；步骤六，以步骤五所得的光刻胶块5为掩膜刻蚀钝化层4，刻蚀过程光刻胶块5与钝化层4选择比为1.2：1，去除光刻胶，刻蚀钝化层4，刻蚀停止在栅极33上方；步骤七，使用光刻工艺对准场板位置，使用薄膜蒸镀工艺蒸镀曲面场板6，并通过剥离工艺去除光刻胶与曲面场板6外金属；步骤八，通过RIE刻蚀工艺暴露出源极31、漏极32金属，曲面场板6与源极31互连。
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百度查询： 江苏镓宏半导体有限公司 一种增强型GaN HEMT器件制备方法及其结构
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