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摘要：本发明公开了一种凹槽型GaNMIS‑HEMT纵向器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属的上方设置有n型SiC衬底、n型GaN以及p型GaN，所述p型GaN的内部设置有GaN沟道层，所述GaN沟道层贯穿p型GaN的内部并延伸至n型GaN的内部，所述GaN沟道层的内部设置有AlGaN层，所述AlGaN层的内部设置有绝缘介质以及栅极金属，所述p型GaN的上方设置有源极金属。通过采用凹槽型GaNMIS‑HEMT纵向器件的设计，不仅可以有效减小器件的尺寸，在相同的耐压条件下实现更高的集成度和密度，而且通过MIS栅极结构的优化，显著提高了栅极的绝缘性能，减少了漏电流。
主权项：1.一种凹槽型GaNMIS-HEMT纵向器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型SiC衬底，所述n型SiC衬底的上方设置有n型GaN，所述n型GaN的上方设置有p型GaN；所述p型GaN的内部设置有GaN沟道层，所述GaN沟道层贯穿p型GaN的内部并延伸至n型GaN的内部，所述GaN沟道层的内部设置有AlGaN层，所述AlGaN层的内部设置有绝缘介质，所述绝缘介质的内部设置有栅极金属，所述p型GaN的上方设置有源极金属；所述AlGaN层、绝缘介质、栅极金属以及源极金属的高度齐平；所述p型GaN和GaN沟道层的高度齐平；该器件的栅极加正电压，所述AlGaN层和GaN沟道层的界面处形成二维电子气和反型电子共同组成的导电沟道，所述导电沟道从源极金属沿AlGaN层和GaN沟道层的界面到n型GaN。
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百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法
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