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摘要：本发明公开了基于二硒化铂GaN石墨烯的光电探测器及制备方法，包括源极、漏极、二硒化铂层、多孔GaN薄膜、石墨烯层和绝缘衬底层；二硒化铂层、多孔GaN薄膜与石墨烯层自上而下依次呈相互错落重叠的非对称范德华异质结垂直结构，石墨烯层设于绝缘衬底层的上表面；源极沉积于石墨烯层的上表面一侧；漏极沉积于二硒化铂层的上表面一侧。通过结构优化，大大缩小了沟道长度和耗尽层中载流子的渡越时间，同时兼具多孔GaN薄膜光捕获能力强和非对称垂直异质结载流子提取效率高的特性，可在自驱动条件下实现对紫外光的快速、高灵敏度探测。
主权项：1.基于二硒化铂GaN石墨烯的光电探测器，其特征是，包括源极、漏极、二硒化铂层、多孔GaN薄膜、石墨烯层和绝缘衬底层；所述二硒化铂层、多孔GaN薄膜与石墨烯层自上而下依次呈相互错落重叠的非对称范德华异质结垂直结构，所述石墨烯层设于绝缘衬底层的上表面；所述源极沉积于所述石墨烯层的上表面一侧；所述漏极沉积于所述二硒化铂层的上表面一侧。
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百度查询： 南京晓庄学院 基于二硒化铂/GaN/石墨烯的光电探测器及制备方法
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