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摘要：本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括半导体结构、栅极结构、源极、漏极、第一应变补偿层、第二应变补偿层及势垒补偿层，其中，半导体结构包括衬底、缓冲层、沟道层及势垒层；栅极结构包括位于势垒层的上表面的帽层；源极与势垒层电连接；漏极与栅极结构远离源极一侧的势垒层电连接；第一应变补偿层位于栅极结构与源极之间的势垒层的上表面且与帽层邻接；第二应变补偿层位于栅极结构与漏极之间的势垒层的上表面且与帽层间隔预设距离；势垒补偿层覆盖栅极结构与第二应变补偿层之间的势垒层的显露表面。本发明通过第一、二应变补偿层及势垒补偿层的设置，缓解了电流崩塌效应及漏极处的热电子效应，降低了器件的导通电阻。
主权项：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：半导体结构，包括依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层及势垒层；栅极结构，包括位于所述势垒层的上表面并与所述势垒层电连接的帽层；源极，与所述势垒层电连接，所述源极与所述栅极结构间隔预设距离；漏极，与所述栅极结构远离所述源极一侧的所述势垒层电连接，所述漏极与所述栅极结构间隔预设距离；第一应变补偿层，位于所述栅极结构与所述源极之间的所述势垒层的上表面，且所述第一应变补偿层与所述帽层邻接；第二应变补偿层，位于所述栅极结构与所述漏极之间的所述势垒层的上表面，且所述第二应变补偿层与所述帽层间隔预设距离；势垒补偿层，覆盖所述栅极结构与所述第二应变补偿层之间的所述势垒层的显露表面。
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百度查询： 华润微电子(重庆)有限公司 一种HEMT器件及其制备方法
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