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摘要：本发明公开了一种GaN基功率器件的栅极结构，包括依次设置的绝缘层、阻挡层、功函数优化层、功函数调节层、过渡层、栅极金属层及保护层，绝缘层的材料为氮化硅，阻挡层的材料为氧化钛或氧化铌任意一种，功函数优化层的材料为镍，功函数调节层的材料为钼，过渡层的材料为钛，栅极金属层的材料为铝，保护层的材料为氧化铝。本发明通过增加阻挡层来显著减少栅极泄漏电流，同时通过多层功函数调节层来优化栅极的可控性，这些改进不仅增强了器件的可控性和可靠性，还提高了其整体效率和工作范围。
主权项：1.一种GaN基功率器件的栅极结构，其特征在于：包括依次设置的绝缘层1、阻挡层2、功函数优化层3、功函数调节层4、过渡层5、栅极金属层6及保护层7，所述绝缘层1的材料为氮化硅，所述阻挡层2的材料为氧化钛或氧化铌任意一种，所述功函数优化层3的材料为镍，所述功函数调节层4的材料为钼，所述过渡层5的材料为钛，所述栅极金属层6的材料为铝，所述保护层7的材料为氧化铝。
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百度查询： 西安理工大学 一种GaN基功率器件的栅极结构
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