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摘要：本发明公开了一种增强型GaNHEMT器件的制备方法，包括在衬底层表面依次生长缓冲层、沟道层、势垒层以及p‑GaN帽层，得到外延结构，沟道层与势垒层形成异质结，沟道层与势垒层形成异质结的界面形成二维电子气作为导电沟道；对部分p‑GaN帽层进行电子束辐照，激活其中的Mg杂质，得到P型GaN栅；在P型GaN栅上制备栅金属电极，二维电子气导电沟道受到P型GaN栅和栅金属电极调控；本发明通过电子束选择性激活p‑GaN帽层制备得到p型GaN栅，有效减少常规增强型GaNHEMT器件制造过程中刻蚀损伤对二维电子气密度和器件动态特性的影响，有利于提高器件的饱和电流，减小器件的动态导通电阻，增强器件的可靠性。

主权项：1.一种增强型GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：采用金属有机物化学气相沉积MOCVD工艺在衬底层1表面依次生长缓冲层2、沟道层3、势垒层4以及p-GaN帽层5，得到外延结构；步骤2：采用光刻胶反转工艺在步骤1的外延结构表面进行光刻，得到栅极区域的光刻胶图案；然后通过电子束蒸发工艺继续在外延结构表面沉积一层Au，剥离后得到栅极区域以外的掩膜层；步骤3：采用电子束设备在步骤2的外延结构表面未被掩膜层覆盖的栅极区域进行电子束辐照，激活其中的Mg杂质，然后对掩膜层进行清洗后得到p型GaN栅6；步骤4：采用光刻胶工艺在步骤3得到的结构表面进行光刻，得到台面区域的光刻胶图案；然后采用半导体材料刻蚀机ICP进行刻蚀，刻蚀深度从p-GaN帽层5开始直至刻蚀掉部分沟道层3，形成台面隔离；步骤5：采用光刻胶反转工艺在步骤4得到的结构表面进行光刻，得到源漏电极区域以外的光刻胶图案；然后采用半导体材料刻蚀机ICP进行刻蚀，去除掉源漏电极区域的p-GaN和AlGaN；然后采用电子束蒸发工艺进行金属蒸镀，剥离后得到源电极7和漏电极8；步骤6：对步骤5得到的器件在N2氛围下进行快速热退火，使源电极7和漏电极8与势垒层4形成欧姆接触；步骤7：采用光刻胶反转工艺在步骤6得到的结构表面进行光刻，得到栅金属电极以外的光刻胶图案；然后采用电子束蒸发工艺进行金属蒸镀，剥离后得到栅金属电极9；栅金属电极9与p型GaN栅6形成肖特基接触，通过p型GaN栅6耗尽下方沟道层3中的二维电子气，最终得到一种增强型GaNHEMT器件。

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