龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明实施例公开了一种具有环状电极结构的半导体器件及其制作方法，应用于电子器件技术领域。半导体器件主要是在外延结构的有源区外围设置隔离区，并在有源区用栅极将源极包围起来，相邻电极组的源极为不同电位的电极，最上端和最下端的电极组中的源极也为不同电位的电极，而在隔离区设置有至少一圈金属环结构和至少一个离子注入区域，这样通过金属环结构及离子注入区域可以将有源区内的源极得到有效地可靠性提升，从而实现了半导体器件的高可靠性。
主权项：1.一种具有环状电极结构的半导体器件，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构设置于衬底上，所述外延结构包括有源区和有源区外围的隔离区，其中：所述有源区包括所述半导体器件的多组电极，每组电极包括源极，和包围所述源极的栅极，相邻电极组所包括的源极为不同电位的电极，且所述有源区内最上端的电极组包括第一源极，最下端的电极组包括第二源极，所述第一源极和第二源极为不同电位的电极；所述隔离区将所述有源区内的电极包围，包括至少一圈离子注入区域和至少一圈金属环结构，所述金属环结构与所述离子注入区域间隔地设置于所述隔离区，且距离所述有源区的电极最近的是一圈离子注入区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海镓未来科技有限公司 具有环状电极结构的半导体器件及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号