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摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。LED芯片的制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片；S2、形成键合层；S3、与永久衬底键合；S4、形成第一通孔；S5、在第一通孔内形成第一P电极，得到中间体；其中，第一P电极包括依次层叠于P型半导体层上的第一欧姆接触金属层、垫高层和金属保护层；第一P电极的高度与第一通孔的深度相同；S6、退火；S7、同时在N型半导体层和金属保护层上分别形成第一金属电极层和第二金属电极层，第一金属电极层和第二金属电极层均包括第二欧姆接触金属层和刻蚀阻挡层；S8、退火；S9、形成DBR层，并在第一金属电极层、第二金属电极层所在区域刻蚀形成第二通孔和第三通孔；S10、形成N电极和第二P电极；N电极通过第二通孔与第一金属电极层形成电连接，第二P电极通过第三通孔与第一P电极形成电连接；N电极和第二P电极的高度相同；S11、切割。实施本发明，可提升倒装LED芯片的可靠性。

主权项：1.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供外延片，所述外延片包括临时衬底和依次层叠于所述临时衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；S2、在所述P型半导体层上形成键合层；S3、将步骤S2得到的外延片与永久衬底键合，并去除所述临时衬底；S4、形成第一通孔，所述第一通孔刻蚀至所述P型半导体层；S5、在所述第一通孔内形成第一P电极，得到中间体；其中，所述第一P电极包括依次层叠于所述P型半导体层上的第一欧姆接触金属层、垫高层和金属保护层；所述第一P电极的高度与所述第一通孔的深度相同；S6、将步骤S5得到的中间体退火，以使所述第一欧姆接触金属层与所述P型半导体层形成欧姆接触；S7、同时在所述N型半导体层和所述金属保护层上分别形成第一金属电极层和第二金属电极层，所述第一金属电极层和第二金属电极层均包括第二欧姆接触金属层和刻蚀阻挡层；S8、将步骤S7得到的中间体退火，以使所述第一金属电极层的第二欧姆接触金属层与所述N型半导体层形成欧姆接触；S9、在步骤S8得到的中间体上形成DBR层，并在第一金属电极层、第二金属电极层所在区域刻蚀形成第二通孔和第三通孔；S10、形成N电极和第二P电极，得到LED晶圆；其中，所述N电极通过第二通孔与所述第一金属电极层形成电连接，所述第二P电极通过所述第三通孔与所述第一P电极形成电连接；所述N电极和所述第二P电极的高度相同；S11、将所述LED晶圆切割，得到倒装LED芯片。

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