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摘要：本发明提供了一种硅片切割工艺，硅片切割工艺包括：预处理阶段：将切割线依次绕设安装在第一线轮、第一辊子、第二辊子和第二线轮上，以在第一辊子、第二辊子之间形成线网；第一阶段：调整切割线的速度逐渐增大至第一预设线速度，切割线的运行周期由第一预设周期增加至第二预设周期；第二阶段：保持第一预设线速度，以第三预设周期运行，且第三预设周期为定值或变化值，且第三预设周期与第二预设周期的差值L大于等于0.05；第三阶段：调整切割线的速度逐渐降低至第二预设线速度，切割线的运行周期由第三预设周期降低至第四预设周期。本发明解决了现有技术中太阳能硅片的表面粗糙度较高手感较差的问题。
主权项：1.一种硅片切割工艺，其特征在于，所述硅片切割工艺包括：预处理阶段：将切割线依次绕设安装在第一线轮、第一辊子、第二辊子和第二线轮上，以在所述第一辊子、所述第二辊子之间形成线网；第一阶段：调整所述切割线的速度逐渐增大至第一预设线速度，所述切割线的运行周期由第一预设周期增加至第二预设周期；第二阶段：保持所述第一预设线速度，以第三预设周期运行，且所述第三预设周期为定值或变化值，且所述第三预设周期与所述第二预设周期的差值L大于等于0.05；第三阶段：调整所述切割线的速度逐渐降低至第二预设线速度，所述切割线的运行周期由所述第三预设周期降低至第四预设周期。
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