龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：特瑞诺科技股份有限公司
摘要：公开了一种具有VLD结构的耐压区域的功率半导体器件及其制造方法。功率半导体器件的制造方法包括以下步骤：在所述功率半导体器件的耐压保持区域，利用LOCOS工艺将形成于第一传导型半导体基板的上部的氧化膜变形为厚薄交替形状的氧化膜；以所述耐压保持区域为对象，从所述经变形的氧化膜的上部以相同的第二传导型杂质的浓度和相同的注入能量向所述半导体基板注入第二传导型杂质；以及使通过所述经变形的氧化膜注入到所述半导体基板的第二传导型杂质扩散，以形成VLD结构的梯度掺杂区域。
主权项：1.一种功率半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述功率半导体器件的耐压保持区域，利用硅局部氧化隔离LOCOS工艺将形成于第一传导型半导体基板的上部的氧化膜变形为厚薄交替形状的氧化膜；以所述耐压保持区域为对象，从所述经变形的氧化膜的上部以相同的第二传导型杂质的浓度以及相同的注入能量向所述半导体基板注入第二传导型杂质；以及使通过所述经变形的氧化膜注入到所述半导体基板的第二传导型杂质扩散，以形成横向变掺杂VLD结构的梯度掺杂区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 特瑞诺科技股份有限公司 具有VLD结构的耐压区域的功率半导体器件及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号