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申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
摘要：本发明实施例提供一种功率器件，例如包括：半导体基底、接触金属层、正面金属层、钝化层和保护层。半导体基底具有有源区和围绕有源区的外围区域。接触金属层设置在有源区上以与半导体基底形成电接触、并从有源区朝向外围区域延伸。正面金属层设置在接触金属层背离半导体基底的一侧、并从有源区朝向外围区域延伸，且正面金属层的端面相对于接触金属层的端面内缩。钝化层设置在半导体基底上，覆盖接触金属层及正面金属层、且暴露出至少部分正面金属层的表面。保护层设置在半导体基底上，覆盖钝化层、且暴露出至少部分正面金属层的表面。本发明实施例通过设计接触金属层的端面和正面金属层的端面的相对位置关系，可以提升器件的H3TRB可靠性能力。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：半导体基底，具有有源区和围绕所述有源区的外围区域；接触金属层，设置在所述有源区上以与所述半导体基底形成电接触、并从所述有源区朝向所述外围区域延伸；正面金属层，设置在所述接触金属层背离所述半导体基底的一侧、并从所述有源区朝向所述外围区域延伸，其中所述正面金属层的端面相对于所述接触金属层的端面内缩；钝化层，设置在所述半导体基底上，其中所述钝化层覆盖所述接触金属层及所述正面金属层且暴露出至少部分所述正面金属层的表面，所述钝化层的材料为无机材料；以及保护层，设置在所述半导体基底上，其中所述保护层覆盖所述钝化层、且暴露出至少部分所述正面金属层的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 功率器件
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