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申请/专利权人：臻驱科技(上海)有限公司
摘要：本发明提供了一种功率半导体模块衬底和功率半导体模块，包括沿第一方向设置的第一功率金属敷层、第二功率金属敷层，其侧边至少部分相邻，第一辅助功率金属敷层设于第一功率金属敷层、第二功率金属敷层之间，且与第一功率金属敷层、第二功率金属敷层相邻。第一功率金属敷层、第二功率金属敷层贯穿功率半导体模块衬底的第二方向，第二方向与第一方向垂直。功率端子设于模块衬底的上侧，信号端子设于模块衬底的下侧；AC端子与第一辅助功率金属敷层连接，DC正极端子与第二功率金属敷层连接，DC负极端子与第一辅助功率金属敷层连接；第一功率金属敷层、第二功率金属敷层上分别设有至少两个功率半导体芯片，功率半导体芯片包括IGBT芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片。
主权项：1.一种功率半导体模块衬底，其特征在于，包括沿第一方向设置的第一功率金属敷层、第二功率金属敷层，所述第一功率金属敷层、第二功率金属敷层的侧边至少部分相邻；还包括第一辅助功率金属敷层，设于所述第一功率金属敷层、所述第二功率金属敷层之间，且与所述第一功率金属敷层、所述第二功率金属敷层相邻；所述第一功率金属敷层、所述第二功率金属敷层贯穿所述功率半导体模块衬底的第二方向，所述第二方向与所述第一方向垂直；所述第二方向靠近所述第一辅助功率金属敷层的一侧为所述功率半导体模块衬底的上侧，所述第二方向远离所述第一辅助功率金属敷层的一侧为所述功率半导体模块衬底的下侧；功率端子设于所述模块衬底的所述上侧，信号端子设于所述模块衬底的所述下侧；所述功率端子包括AC端子、DC正极端子、和DC负极端子，所述AC端子与所述第一辅助功率金属敷层连接，所述DC正极端子与所述第二功率金属敷层连接，所述DC负极端子与所述第一辅助功率金属敷层连接；所述第一功率金属敷层、所述第二功率金属敷层上分别设有至少两个功率半导体芯片，所述功率半导体芯片包括IGBT芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片。
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百度查询： 臻驱科技(上海)有限公司 一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块
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