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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本申请涉及一种氮化物外延片及半导体器件，属于半导体技术领域。该氮化物外延片包括：衬底、防漏电层以及外延层；防漏电层设置在衬底一侧，包括层叠设置的第一插入层、氮化物隔离层和第二插入层；其中，氮化物隔离层为第一插入层和第二插入层形成的PN结耗尽层；外延层设置在防漏电层远离衬底的一侧。本申请提供的方案利用第一插入层和第二插入层形成PN结耗尽层，阻挡了漏电电流形成回路，改善了外延片的漏电问题；并且通过设置氮化物隔离层，避免第一插入层和第二插入层中的电子和空穴扩散至其他层影响外延片的电性。
主权项：1.一种氮化物外延片，其特征在于，包括：衬底；防漏电层，设置在所述衬底的一侧，所述防漏电层包括层叠设置的第一插入层、氮化物隔离层和第二插入层；其中，所述氮化物隔离层为所述第一插入层和所述第二插入层形成的PN结耗尽层；外延层，设置在所述防漏电层远离所述衬底的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种氮化物外延片及半导体器件
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