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申请/专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种外延控制方法，属于半导体制造技术领域。包括：提供第一温控片，置于基座上，通过加热元件对第一温控片进行第一加热处理，获取不同温度下第一温控片的方阻，以确定温度系数α；提供第二温控片，置于基座上，通过加热元件对第二温控片进行第二加热处理，获取第二加热处理后的第二温控片的方阻，并结合温度系数α，以确定第二温控片的第一温度差ΔT1；判断第一温度差ΔT1是否满足第一预设温度的范围；若第一温度差ΔT1不满足第一预设温度的范围，则通过调节加热元件和基座之间的距离，以使第一温度差ΔT1满足第一预设温度的范围。本申请提供的外延控制方法，可以改善外延片在形成过程中的温度均匀性，从而改善外延片的缺陷。
主权项：1.一种外延控制方法，其特征在于，用于控制外延装置的反应温度，所述外延装置具有反应腔，所述反应腔内设有基座10和加热元件20，所述加热元件20位于所述基座10的一侧，并用于对所述基座10加热，包括：提供第一温控片，置于所述基座10上，通过所述加热元件20对所述第一温控片进行第一加热处理，获取不同温度下所述第一温控片的方阻，以确定温度系数α；提供第二温控片，置于所述基座10上，通过所述加热元件20对所述第二温控片进行第二加热处理，获取第二加热处理后的所述第二温控片的方阻，并结合所述温度系数α，以确定所述第二温控片的第一温度差ΔT1；判断所述第一温度差ΔT1是否满足第一预设温度的范围；若所述第一温度差ΔT1不满足所述第一预设温度的范围，则通过调节所述加热元件20和所述基座10之间的距离，以使第一温度差ΔT1满足第一预设温度的范围。
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权利要求：
百度查询： 天津中环领先材料技术有限公司 中环领先半导体科技股份有限公司 一种外延控制方法
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