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申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日：2024-04-26
公开（公告）日：2024-10-29
公开（公告）号：CN118866944A
专利技术分类：...具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的[2006.01]
专利摘要：本发明涉及氮化镓生长基材材料。一种氮化镓GaN生长层包括第一表面、第二表面以及在所述第一和第二表面之间延伸的体区域，所述体区域具有在800K以上热膨胀系数CTE为约2‑25ppmK的多晶材料和一种或多种具有式I的尖晶石化合物：ZnxCd1‑xCryAl1‑y2O4I，其中x和y是0和1之间的任意数字，所述第一和所述第二表面中的一者包括GaN外延生长区域。
专利权项：1.一种氮化镓GaN生长层，其包括：第一表面；第二表面；和在所述第一表面和第二表面之间延伸的体区域，所述体区域具有在800K以上热膨胀系数CTE为约2-25ppmK的多晶材料和一种或多种具有式I的尖晶石化合物：ZnxCd1-xCryAl1-y2O4I,其中，x和y是0和1之间的任意数字，所述第一和第二表面中的一者包括GaN外延生长区域。
百度查询： 罗伯特·博世有限公司 氮化镓生长基材材料
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