买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：深圳海芯洋信息科技有限公司

摘要：本发明涉及垂直腔面激光器技术领域，尤其为一种垂直腔面激光外延结构，包括外延片主体，所述外延片主体包括基板、第一单晶薄膜和第二单晶薄膜，所述基板的顶部从下到上依次固定连接有第一单晶薄膜、第二单晶薄膜、第三单晶薄膜、第四单晶薄膜、第五单晶薄膜、第六单晶薄膜、第七单晶薄膜、第八单晶薄膜、第九单晶薄膜、第十单晶薄膜、第十一单晶薄膜和第十二单晶薄膜，本发明中，通过设置的基板对多层单晶体薄膜进行承载，不同单晶体薄膜的厚度和组成成分均不同，因此外延片主体中的砷、镓、磷、铝等元素具有特定比例，按照此比例生产出的外延片良品率较高，可以降低外延片的平均生产成本。

主权项：1.一种垂直腔面激光外延结构，包括外延片主体1，其特征在于：所述外延片主体1包括基板101、第一单晶薄膜102和第二单晶薄膜103，所述基板101的顶部从下到上依次固定连接有第一单晶薄膜102、第二单晶薄膜103、第三单晶薄膜104、第四单晶薄膜105、第五单晶薄膜106、第六单晶薄膜107、第七单晶薄膜108、第八单晶薄膜109、第九单晶薄膜110、第十单晶薄膜111、第十一单晶薄膜112、第十二单晶薄膜113、第十三单晶薄膜114、第十四单晶薄膜115、第十五单晶薄膜116、第十六单晶薄膜117、第十七单晶薄膜118、第十八单晶薄膜119、第十九单晶薄膜120、第二十单晶薄膜121、第二十一单晶薄膜122、第二十二单晶薄膜123、第二十三单晶薄膜124、第二十四单晶薄膜125、第二十五单晶薄膜126、第二十六单晶薄膜127、第二十七单晶薄膜128、第二十八单晶薄膜129、第二十九单晶薄膜130、第三十单晶薄膜131、第三十一单晶薄膜132、第三十二单晶薄膜133、第三十三单晶薄膜134、第三十四单晶薄膜135和第三十五单晶薄膜136；所述基板101的成分为GaAs，所述基板101的比例为0.00％，所述基板101的厚度为5000um，所述基板101的杂质为2％；所述第一单晶薄膜102的成分为AIGaAs，所述第一单晶薄膜102有37个回路，所述第一单晶薄膜102的比例为1090％，所述第一单晶薄膜102的厚度为200um，所述第一单晶薄膜102的杂质为2％；所述第二单晶薄膜103的成分为AIGaAs，所述第二单晶薄膜103有37个回路，所述第二单晶薄膜103的比例为90.00％，所述第二单晶薄膜103的厚度为563um，所述第二单晶薄膜103的杂质为2％；所述第三单晶薄膜104的成分为AIGaAs，所述第三单晶薄膜104有37个回路，所述第三单晶薄膜104的比例为9010％，所述第三单晶薄膜104的厚度为200um，所述第三单晶薄膜104的杂质为2％；所述第四单晶薄膜105的成分为AIGaAs，所述第四单晶薄膜105有37个回路，所述第四单晶薄膜105的比例为10.00％，所述第四单晶薄膜105的厚度为477um，所述第四单晶薄膜105的杂质为2％；所述第五单晶薄膜106的成分为AIGaAs，所述第五单晶薄膜106的比例为1085％，所述第五单晶薄膜106的厚度为200um，所述第五单晶薄膜106的杂质为2％；所述第六单晶薄膜107的成分为AIGaAs，所述第六单晶薄膜107的比例为85.00％，所述第六单晶薄膜107的厚度为649um，所述第六单晶薄膜107的杂质为2％；所述第七单晶薄膜108的成分为AIGaAs，所述第七单晶薄膜108的比例为8560％，所述第七单晶薄膜108的厚度为100um，所述第七单晶薄膜108的杂质为0.5％；所述第八单晶薄膜109的成分为AIGaAs，所述第八单晶薄膜109的比例为6020％，所述第八单晶薄膜109的厚度为996.3um，所述第八单晶薄膜109的杂质为0.1％；所述第九单晶薄膜110的成分为AIGaAs，所述第九单晶薄膜110的比例为20.00％，所述第九单晶薄膜110的厚度为75um；所述第十单晶薄膜111的成分为AIGaAs，所述第十单晶薄膜111的比例为20.00％，所述第十单晶薄膜111的厚度为75um；所述第十一单晶薄膜112的成分为InGaAs，所述第十一单晶薄膜112的比例为13.00％，所述第十一单晶薄膜112的厚度为70um；所述第十二单晶薄膜113的成分为AIGaAs，所述第十二单晶薄膜113的比例为20.00％，所述第十二单晶薄膜113的厚度为80um；所述第十三单晶薄膜114的成分为INGaAs，所述第十三单晶薄膜114的比例为13.00％，所述第十三单晶薄膜114的厚度为70um；所述第十四单晶薄膜115的成分为AIGaAs，所述第十四单晶薄膜115的比例为20.00％，所述第十四单晶薄膜115的厚度为80um；所述第十五单晶薄膜116的成分为InGaAs，所述第十五单晶薄膜116的比例为13.00％，所述第十五单晶薄膜116的厚度为70um；所述第十六单晶薄膜117的成分为AIGaAs，所述第十六单晶薄膜117的比例为20.00％，所述第十六单晶薄膜117的厚度为150um；所述第十七单晶薄膜118的成分为AIGaAs，所述第十七单晶薄膜118的比例为2060％，所述第十七单晶薄膜118的厚度为996.3um；所述第十八单晶薄膜119的成分为AIGaAs，所述第十八单晶薄膜119的比例为6090％，所述第十八单晶薄膜119的厚度为100um；所述第十九单晶薄膜120的成分为AIGaAs，所述第十九单晶薄膜120的比例为6090％，所述第十九单晶薄膜120的厚度为600um；所述第二十单晶薄膜121的成分为AIGaAs，所述第二十单晶薄膜121的比例为98.00％，所述第二十单晶薄膜121的厚度为200um，所述第二十单晶薄膜121的杂质为2％；所述第二十一单晶薄膜122的成分为AIGaAs，所述第二十一单晶薄膜122的比例为9010％，所述第二十一单晶薄膜122的厚度为200um，所述第二十一单晶薄膜122的杂质为2％；所述第二十二单晶薄膜123的成分为AIGaAs，所述第二十二单晶薄膜123的比例为10.00％，所述第二十二单晶薄膜123的厚度为270um，所述第二十二单晶薄膜123的杂质为0.7％；所述第二十三单晶薄膜124的成分为AIGaAs，所述第二十三单晶薄膜124的比例为1090％，所述第二十三单晶薄膜124的厚度为200um，所述第二十三单晶薄膜124的杂质为2％；所述第二十四单晶薄膜125的成分为AIGaAs，所述第二十四单晶薄膜125的比例为90.00％，所述第二十四单晶薄膜125的厚度为563um，所述第二十四单晶薄膜125的杂质为1％；所述第二十五单晶薄膜126的成分为AIGaAs，所述第二十五单晶薄膜126的比例为9010％，所述第二十五单晶薄膜126的厚度为200um，所述第二十五单晶薄膜126的杂质为4％；所述第二十六单晶薄膜127的成分为AIGaAs，所述第二十六单晶薄膜127有9个回路，所述第二十六单晶薄膜127的比例为10.00％，所述第二十六单晶薄膜127的厚度为477um，所述第二十六单晶薄膜127的杂质为1％；所述第二十七单晶薄膜128的成分为AIGaAs，所述第二十七单晶薄膜128有9个回路，所述第二十七单晶薄膜128的比例为1090％，所述第二十七单晶薄膜128的厚度为200um，所述第二十七单晶薄膜128的杂质为2％；所述第二十八单晶薄膜129的成分为AIGaAs，所述第二十八单晶薄膜129有9个回路，所述第二十八单晶薄膜129的比例为90.00％，所述第二十八单晶薄膜129的厚度为563um，所述第二十八单晶薄膜129的杂质为2％；所述第二十九单晶薄膜130的成分为AIGaAs，所述第二十九单晶薄膜130有9个回路，所述第二十九单晶薄膜130的比例为9010％，所述第二十九单晶薄膜130的厚度为200um，所述第二十九单晶薄膜130的杂质为4％；所述第三十单晶薄膜131的成分为AIGaAs，所述第三十单晶薄膜131有6个回路，所述第三十单晶薄膜131的比例为10.00％，所述第三十单晶薄膜131的厚度为477um，所述第三十单晶薄膜131的杂质为2％；所述第三十一单晶薄膜132的成分为AIGaAs，所述第三十一单晶薄膜132有6个回路，所述第三十一单晶薄膜132的比例为1090％，所述第三十一单晶薄膜132的厚度为200um，所述第三十一单晶薄膜132的杂质为3％；所述第三十二单晶薄膜133的成分为AIGaAs，所述第三十二单晶薄膜133有6个回路，所述第三十二单晶薄膜133的比例为90.00％，所述第三十二单晶薄膜133的厚度为563um，所述第三十二单晶薄膜133的杂质为3％；所述第三十三单晶薄膜134的成分为AIGaAs，所述第三十三单晶薄膜134有6个回路，所述第三十三单晶薄膜134的比例为9010％，所述第三十三单晶薄膜134的厚度为200um，所述第三十三单晶薄膜134的杂质为6％；所述第三十四单晶薄膜135的成分为GaAs，所述第三十四单晶薄膜135的比例为0.00％，所述第三十四单晶薄膜135的厚度为1250um，所述第三十四单晶薄膜135的杂质为10％；所述第三十五单晶薄膜136的成分为GaAs，所述第三十五单晶薄膜136的比例为0.00％，所述第三十五单晶薄膜136的厚度为622um，所述第三十五单晶薄膜136的杂质为50％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳海芯洋信息科技有限公司 一种垂直腔面激光外延结构