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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请提供一种碳化硅外延生长温度的控制方法，一种碳化硅外延生长温度的控制方法，其特征在于，步骤包括：获取标准缺陷分布图；控制样片在外延炉炉腔内生长，对生长后的样片进行缺陷分析，以获取实际缺陷分布图；比对实际缺陷分布图与标准缺陷分布图，以判断样片生长时的实际温度与目标温度是否有偏差；基于判断结果，调整成片生长时的实际温度本申请一种碳化硅外延生长温度的控制方法，通过对比样片表面的缺陷分布情况，可精准获取外延炉腔内生长温度与标准温度的偏差范围，从而可快速且精确地调整外延炉腔内的实际温度，以对腔室温度进行实时补偿。
主权项：1.一种碳化硅外延生长温度的控制方法，其特征在于，步骤包括：获取标准缺陷分布图；控制样片在外延炉炉腔内生长，对生长后的样片进行缺陷分析，以获取实际缺陷分布图；比对实际缺陷分布图与标准缺陷分布图，以判断样片生长时的实际温度与目标温度是否有偏差；基于判断结果，调整成片生长时的实际温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 一种碳化硅外延生长温度的控制方法
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