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申请/专利权人：浙江六方半导体科技有限公司
摘要：本发明提出了一种SiC外延机台高温测试方法，涉及SiC外延机台高温测试技术领域，通过融硅方法对A、B两个石墨热场进行差异验证，获取外延片A和外延片B，进行高温下厚度测试实验，分别在实验前后测试外延片A和外延片B的厚度，获得外延片实验厚度测试数据；将外延片实验厚度测试数据按照不同温度进行分类，获得不同温度下氢气刻蚀后膜厚变化趋势数据，根据不同温度下氢气刻蚀后膜厚变化趋势数据生成热场分布数据；通过刻蚀速率结合温度数据计算每个位置的温度，获得晶圆面内的温度分布数据，对A、B两个石墨热场进行温度分布测试，获得温度分布数据，本发明可以测试所有的外延机台，可以检测热场温度和分布，以及机台间温度差异等。
主权项：1.一种SiC外延机台高温测试方法，其特征在于，所述方法包括：S1、通过融硅方法对A、B两个石墨热场进行差异验证，获得差异验证结果；S2、获取外延片A和外延片B，进行高温下厚度测试实验，分别在实验前后测试外延片A和外延片B的厚度，获得外延片实验厚度测试数据；S3、将外延片实验厚度测试数据按照不同温度进行分类，获得不同温度下氢气刻蚀后膜厚变化趋势数据，根据不同温度下氢气刻蚀后膜厚变化趋势数据生成热场分布数据；S4、通过刻蚀速率结合温度数据计算每个位置的温度，获得晶圆面内的温度分布数据，对A、B两个石墨热场进行温度分布测试，获得A、B两个石墨热场的温度分布数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江六方半导体科技有限公司 一种SiC外延机台高温测试方法
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