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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种外延片及其制备方法。该外延片制备方法，包括：提供异质结外延层；在异质结外延层上形成帽层，得到外延片；帽层包括依次层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，第一子层与异质结外延层贴合。本申请通过在异质结外延层上制备帽层，帽层包括依次层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层；其中第一子层可以减小帽层中的镁原子向异质结外延层扩散；第二子层可以弥补第一子层在退火时镁原子的扩散损伤；因此，本申请通过将帽层设置为层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，可以有效改善目前常规帽层中镁原子扩散引起的二维电子气损伤问题，以及帽层中空穴浓度下降和不均匀的问题。
主权项：1.一种外延片制备方法，其特征在于，包括：提供异质结外延层100；在所述异质结外延层100上形成帽层200，得到外延片300；所述帽层200包括依次层叠设置的第一子层201、第二子层202以及第三子层203，所述第一子层201与所述异质结外延层100贴合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 一种外延片及其制备方法
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