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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，第一注入区具有第一侧面和第二侧面，第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触，第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，且第三注入区与第二侧面接触，至少一个第三注入区的底面与漂移层接触，第一注入区具有第一掺杂类型，第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
主权项：1.一种MOS器件，其特征在于，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，所述漂移层具有背离所述衬底的第一表面，所述MOS器件还包括多个元胞，所述元胞位于所述漂移层背离衬底的一侧，所述元胞包括：源区结构，所述源区结构设置在所述漂移层中且由所述第一表面指向所述衬底的方向延伸，所述源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，所述第一注入区设置在所述漂移层中且由所述第一表面指向所述衬底的方向延伸，所述第一注入区具有第一侧面和第二侧面，所述第二注入区分别与所述第一注入区的底面和所述第一侧面接触，所述多个第三注入区间隔设置在所述漂移层中且由所述第一表面指向所述衬底的方向延伸，且所述第二侧面接触其中一个所述第三注入区，至少一个所述第三注入区的底面与所述漂移层接触，所述第一注入区具有第一掺杂类型，所述第二注入区和所述第三注入区具有第二掺杂类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 MOS器件及其制备方法
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