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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及分子束外延设备技术领域，尤其涉及一种分子束外延用束源炉及其控制方法。束源炉包括束源炉坩埚和温度控制系统；束源炉坩埚由下至上依次包括反应区腔体、缓冲区腔体和束源出口；所述反应区腔体用于填入反应原料，所述反应原料的填充量小于所述反应区腔体的容积；所述缓冲区腔体的两端内缩形成脖颈；温度控制系统包括三个结构相同的温度控制装置，分别对应安装于所述反应区腔体、所述缓冲区腔体和所述束源出口的外部，用于实现各区域独立的温度控制。优点在于：有效地提升化合物束源的稳定性和均匀性，从而提升分子束外延薄膜的生长速率、晶体质量以及薄膜均匀度。
主权项：1.一种分子束外延用束源炉，其特征在于：包括束源炉坩埚和温度控制系统；所述束源炉坩埚由下至上依次包括反应区腔体、缓冲区腔体和束源出口；所述反应区腔体用于填入反应原料，所述反应原料的填充量小于所述反应区腔体的容积；所述缓冲区腔体的两端内缩形成脖颈；所述温度控制系统包括三个结构相同的温度控制装置，分别对应安装于所述反应区腔体、所述缓冲区腔体和所述束源出口的外部，用于对所述反应区腔体、所述缓冲区腔体和所述束源出口实现独立的温度控制。
全文数据：
权利要求：
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