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申请/专利权人：北京旭灿半导体科技有限公司;东旭科技集团有限公司
摘要：本申请提供一种籽晶托和晶体生长装置。涉及碳化硅单晶生长技术领域。籽晶托，包括：上底板；下底板，下底板和上底板相对设置，下底板与上底板同轴设置，下底板的面积小于上底板的面积，下底板用于长晶；和侧面结构，侧面结构的第一侧和第二侧分别与上底板沿周向的边缘和下底板沿周向的边缘连接，侧面结构为阶梯状结构。从而本申请提供的籽晶托，籽晶托下底板沿径向的温度差异较小，在籽晶托下底板生长的籽晶沿径向的温度梯度变化较小，进而形成在籽晶托下底板的碳化硅晶体平整、均匀，提高了结晶质量。
主权项：1.一种籽晶托，其特征在于，包括：上底板11；下底板12，所述下底板12和所述上底板11相对设置，所述下底板12与所述上底板11同轴设置，所述下底板12的面积小于所述上底板11的面积，所述下底板12用于长晶；和侧面结构13，所述侧面结构13的第一侧和第二侧分别与所述上底板11沿周向的边缘和所述下底板12沿周向的边缘连接，所述侧面结构13为阶梯状结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京旭灿半导体科技有限公司 东旭科技集团有限公司 籽晶托和晶体生长装置
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