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申请/专利权人：通威微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种偏轴式晶体生长装置，属于半导体技术领域，包括密封室、下坩埚和上坩埚，下坩埚设置于密封室内，用于盛装碳化硅粉料，下坩埚的顶部设置有气相出口。上坩埚的底部开口且顶部内侧设置有籽晶，籽晶与上坩埚同轴设置，上坩埚的顶部外侧连接有驱动机构，用于在驱动机构的驱动下绕自身轴线旋转，上坩埚设置于密封室内且与下坩埚在竖直方向上间隔设置，上坩埚的轴线与下坩埚的轴线在水平方向上间隔设置。通过采用分体偏轴式的上坩埚和下坩埚，同时设置上坩埚在驱动机构的驱动下绕自身轴线旋转，可以使晶体在生长过程中生长面保持稳定的凸界面，从而减少碳化硅晶体的缺陷，提高碳化硅晶体的质量。
主权项：1.一种偏轴式晶体生长装置，其特征在于，包括：密封室（100）；下坩埚（300），所述下坩埚（300）设置于所述密封室（100）内，用于盛装碳化硅粉料（900），所述下坩埚（300）的顶部设置有气相出口（310）；上坩埚（500），所述上坩埚（500）的底部开口且顶部内侧设置有籽晶（600），所述籽晶（600）与所述上坩埚（500）同轴设置，所述上坩埚（500）的顶部外侧连接有驱动机构（700），用于在所述驱动机构（700）的驱动下绕自身轴线旋转，所述上坩埚（500）设置于所述密封室（100）内且与所述下坩埚（300）在竖直方向上间隔设置，所述上坩埚（500）的轴线与所述下坩埚（300）的轴线在水平方向上间隔设置。
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