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申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日：2024-07-01
公开（公告）日：2024-10-29
公开（公告）号：CN118854452A
专利技术分类：..卤化物[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种三元氟化物光电晶体材料的生长设备及生长工艺，该生长设备包括设有2个以上独立控温的温区和绝热区的加热炉膛；与所述加热炉膛连接的炉膛升降机构，其用于控制加热炉膛升降；设于所述加热炉膛内的晶体生长坩埚；所述晶体生长坩埚包括石英坩埚，所述石英坩埚内密封有金属坩埚，所述金属坩埚内密封有三元氟化物晶体原料，所述金属坩埚的底部为籽晶袋；以及坩埚旋转升降机构，其与所述晶体生长坩埚连接，用于控制晶体生长坩埚的旋转和或升降。本发明还公开了基于该生长设备的生长工艺，无需价格昂贵的工艺设备，即可进行三元氟化物光电晶体材料的生长，可避免原料氧化污染、抑制组分挥发、组分偏离，并且不会腐蚀设备。
专利权项：1.一种三元氟化物光电晶体材料的生长设备，其特征在于：加热炉膛，所述加热炉膛内设有2个以上独立控温的温区和绝热区；炉膛升降机构，其与所述加热炉膛连接，用于控制加热炉膛升降；晶体生长坩埚，其设于所述加热炉膛内；所述晶体生长坩埚包括石英坩埚，所述石英坩埚内密封有金属坩埚，所述金属坩埚内密封有三元氟化物晶体原料，所述金属坩埚的底部为籽晶袋；以及坩埚旋转升降机构，其与所述晶体生长坩埚连接，用于控制晶体生长坩埚的旋转和或升降。
百度查询： 中国科学院合肥物质科学研究院 三元氟化物光电晶体材料的生长设备及生长工艺
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