龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：衬底、缓冲层、三维成核层、未掺杂半导体层、第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层。三维成核层包括晶格结构处理子层、第一三维成核子层和第二三维成核子层；其中，晶格结构处理子层为在纯H2气氛下生长而成的GaN子层；第一三维成核子层为在纯N2气氛下而成的GaN子层；第二三维成核子层在第一三维成核子层生长完成后停顿一段时间后生长而成；第二三维成核子层为在纯H2气氛下生长而成的GaN子层。三维成核层可以有效减少晶格失配导致的缺陷和位错，减小漏电流，提高复合几率，增大出光效率。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底101、缓冲层102、三维成核层103、未掺杂半导体层104、第一半导体层105、发光层106、电子阻挡层107和第二半导体层108；所述缓冲层102、所述三维成核层103、所述未掺杂半导体层104、所述第一半导体层105、所述发光层106、所述电子阻挡层107和所述第二半导体层108依次生长层叠在所述衬底101上；所述三维成核层103包括：依次层叠在所述缓冲层102上的至少一个周期的晶格结构处理子层201、第一三维成核子层202和第二三维成核子层203；所述晶格结构处理子层201、所述第一三维成核子层202和所述第二三维成核子层203均为GaN子层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方华灿光电(苏州)有限公司 发光二极管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号