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申请/专利权人：艾利迪公司
摘要：本发明的一个主题是一种发光二极管100，该发光二极管包括例如p型的第一区域1并且包括例如n型的第三区域3，第一区域形成在第一层10中，并且第一区域与形成在第二层20中的包括至少一个量子阱的第二区域2形成沿法向于基面的方向叠置的叠置件，第三区域沿法向于基面的方向、与第一区域1和第二区域2并置并接触地延伸穿过第一层10和第二层20。本发明的另一主题是一种用于制造发光二极管100的方法，其中，第三区域3是通过植入并穿过第一层10和第二层20而形成的。
主权项：1.一种发光二极管100，所述发光二极管100配置成发射波长为λi的光通量，其中，i＝1…3，所述发光二极管100包括第一区域1、第二区域2和第三区域3，所述第一区域1具有P型导电性或N型导电性中的一者并形成在沿基面延伸的第一层10中，所述第二区域2形成在第二层20中，所述第二区域2与所述第一区域1形成沿法向于所述基面的也被称为纵向方向的方向叠置的叠置件，并且所述第二区域2包括平行于所述基面延伸的至少一个量子阱，所述第三区域3具有P型导电性或N型导电性中的另一者，其特征在于，所述第三区域3在所述纵向方向上延伸，从而穿过所述第一层10和所述第二层20与所述第一区域1和所述第二区域2邻接并接触，其中，所述发光二极管具有包括所述第一区域1和所述第二区域2的台面结构，并且其中，所述第三区域形成所述台面结构的边缘，所述边缘具有基本上法向于所述基面的自由表面，基本上法向于所述基面的所述自由表面意指具有相对于所述基面成90±10°的角度的所述自由表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾利迪公司 发光二极管及用于制造发光二极管的方法
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