龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；P型半导体层包括依次层叠于多量子阱层上的第一复合层、第二复合层和第三复合层；第一复合层包括依次层叠于多量子阱层上的BN层和BAsxN1‑x层；第二复合层为周期性结构，周期数为2~10，每个周期均包括依次层叠的P型GaN层、BAsyN1‑y层和P型BzGa1‑zN层；第三复合层包括依次层叠于第二复合层上的P型BαGa1‑αN层和P型InGaN层；其中，x＞y，z＞α。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，降低其工作电压。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；所述P型半导体层包括依次层叠于所述多量子阱层上的第一复合层、第二复合层和第三复合层；所述第一复合层包括依次层叠于所述多量子阱层上的BN层和BAsxN1-x层；所述第二复合层为周期性结构，周期数为2~10，每个周期均包括依次层叠的P型GaN层、BAsyN1-y层和P型BzGa1-zN层；所述第三复合层包括依次层叠于所述第二复合层上的P型BαGa1-αN层和P型InGaN层；其中，x＞y，z＞α。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号