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申请/专利权人：郑州合晶硅材料有限公司;上海晶盟硅材料有限公司
摘要：本发明公开了一种改善有多晶硅背封的单晶硅片翘曲度的方法，包括以下步骤：S1.对倒角、研磨、蚀刻、双面抛光后的单晶硅片进行边缘抛光；S2.在所述单晶硅片的背面以及倒角边缘区进行多晶硅背封；所述多晶硅背封采用化学气相沉积法，沉积温度为665℃～675℃，沉积压力为0.1torr～0.2torr；S3.然后进行二氧化硅背封；所述二氧化硅背封采用多次沉积的方法。本申请通过优化多晶硅背封层结构，优化多晶硅背封以及二氧化硅背封工艺，有效改善了具有内层多晶硅背封+外层二氧化硅背封的复合背封层的重掺硅片的翘曲度，提高了重掺硅片的良率。
主权项：1.一种改善有多晶硅背封的单晶硅片翘曲度的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.对倒角、研磨、蚀刻、双面抛光后的单晶硅片进行边缘抛光；S2.在所述单晶硅片的背面以及倒角边缘区进行多晶硅背封；所述多晶硅背封采用化学气相沉积法，沉积温度为665℃～675℃，沉积压力为0.1torr～0.2torr；S3.然后进行二氧化硅背封；所述二氧化硅背封采用多次沉积的方法。
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权利要求：
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